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本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述绝缘层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述绝缘层分割为多个块状结构；在所述衬底和绝缘层上...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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