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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括有源区和隔离区;在衬底上形成浮栅极结构材料层;去除隔离区上的浮栅极结构材料层,在有源区上形成浮栅极结构,并在相邻浮栅极结构之间形成第一凹槽,所述第一凹槽暴露出隔离区表面;形成第二凹槽和侧...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括有源区和隔离区;在衬底上形成浮栅极结构材料层;去除隔离区上的浮栅极结构材料层,在有源区上形成浮栅极结构,并在相邻浮栅极结构之间形成第一凹槽,所述第一凹槽暴露出隔离区表面;形成第二凹槽和侧...