切割芯片接合薄膜制造技术

本发明专利技术提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有热基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的前述粘合剂层的芯片接合片，前述芯片接合片包含导电性金属颗粒，前述芯片接合片和前述粘合剂层均分别含有含极性基团的化合物，前述含极性基团的化合物为在分子中含有1个以上羟基或多个醚键的至少一者的化合物，前述芯片接合片与前述粘合剂层之间的剥离力大于0.05N/50mm。层之间的剥离力大于0.05N/50mm。层之间的剥离力大于0.05N/50mm。

【技术实现步骤摘要】
切割芯片接合薄膜


[0001]本专利技术涉及例如在制造半导体装置时使用的切割芯片接合薄膜。

技术介绍

[0002]以往，已知在半导体装置的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备切割带、以及层叠于该切割带且要粘接于晶圆的芯片接合片。切割带具有基材层和与芯片接合片接触的粘合剂层。这种切割芯片接合薄膜在半导体装置的制造中例如如下所述地使用。
[0003]制造半导体装置的方法通常具备：利用高集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序；以及，从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。例如，制造包含在较大的电力下使用的功率半导体元件的半导体装置时，在后工序中，可以实施如以下所述的各工序。
[0004]后工序例如具有如下工序：将形成有电路面的晶圆(半导体晶圆)的与电路面相反一侧的面粘贴到重叠于切割带的芯片接合片的粘合剂层上，将晶圆固定的安装工序；利用切割锯等将半导体晶圆和芯片接合片一同切断而进行小片化的切割工序；扩大使半导体晶圆小片化而成的芯片彼此的间隔的扩展工序；将粘贴于切割带的粘合剂层的小片化芯片接合片与芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带；以及重叠于该切割带的所述粘合剂层的芯片接合片，所述芯片接合片包含导电性金属颗粒，所述芯片接合片和所述粘合剂层均分别含有含极性基团的化合物，所述含极性基团的化合物为在分子中含有1个以上羟基或多个醚键的至少一者的化合物，所述芯片接合片与所述粘合剂层之间的剥离力大于0.05N/50mm。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层包含在分子中至少含有(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸系聚合物，所述丙烯酸系聚合物的结构单元中，烷基部分的碳数为8以上的所述(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的比率在分子中最高。3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层含有通过固化处理而发生固化反应的成分，所述固化处理后的所述粘合剂层的凝胶率为70％以上。4.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，将所述剥离力设为X、将自测定该X的剥离力起经过7天后的经时后剥离力设为Y时，Y/X大于0.5且小于1.5。5.根据权利要求1或2所述的切...

【专利技术属性】
技术研发人员：三田亮太，佐藤麻由，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：