一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法技术

本发明专利技术提供一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法，包括将背面贴膜完成的晶圆固定在基座上，预切较长一段方形保护膜并将其置于晶圆的Taiko环边缘处；将三段式贴膜辊移动至晶圆的Taiko环边缘处粘贴，三段式贴膜辊包括贴膜辊一、贴膜辊二和贴膜辊三，贴膜辊二的两端分别与贴膜辊一和贴膜辊三活动连接；将基座旋转一周，切除多余的保护膜；开启底部气帘，底部气帘朝向晶圆的侧面，托举未粘贴的保护膜；旋转基座，同时移动三段式贴膜辊，进行Taiko环边缘滚压贴膜；继续移动三段式贴膜辊，进行Taiko环侧面滚压贴膜；关闭底部气帘，将三段式贴膜辊移出。本发明专利技术通过采用分段贴膜方法，使得晶圆Taiko环边缘及侧面也粘贴保护膜，降低了化镀过程中晶圆边缘金属镀层剥落的风险。过程中晶圆边缘金属镀层剥落的风险。过程中晶圆边缘金属镀层剥落的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法。

技术介绍

[0002]随着半导体产品向轻、薄、短、小的方向发展，Flip chip(倒装芯片封装技术)越来越得到广泛应用。Filp chip的关键在于利用化镀工艺制作焊接的金属层UBM(Under Bumping Metallization)，这种方式制作的UBM因其成本低、性能好、被广泛应用。
[0003]在部分高端功率芯片如IGBT生产过程中，需先进行晶圆减薄，然后进行正面化镀镍钯金工艺。其中在进行化镀工艺之前，为了保护晶圆背面已经完成的工艺状态，需要先粘贴保护膜进行保护。然而，目前成熟Taiko晶圆背面贴膜工艺，如图1所示，晶圆边缘及侧面位置无法粘贴保护膜；如图2所示，化镀作业过程中，在晶圆边缘及侧面位置上会沉积镀层金属镍钯金；如图3所示，会导致后续作业过程中发生剥落(peeling)，进而造成沾污。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种Taiko晶圆化镀前的背面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄；步骤二、对所述晶圆进行背面贴膜工艺；步骤三、将背面贴膜完成的所述晶圆固定在基座上，预切较长一段方形保护膜并将其置于所述晶圆的Taiko环边缘处；步骤四、将三段式贴膜辊移动至所述晶圆的Taiko环边缘处粘贴，所述三段式贴膜辊包括贴膜辊一、贴膜辊二和贴膜辊三，所述贴膜辊二的两端分别与所述贴膜辊一和所述贴膜辊三活动连接；步骤五、将所述基座旋转一周，切除多余的所述保护膜；步骤六、开启底部气帘，所述底部气帘朝向所述晶圆的侧面，托举未粘贴的所述保护膜；步骤七、旋转所述基座，同时移动所述三段式贴膜辊，进行Taiko环边缘滚压贴膜；步骤八、继续移动所述三段式贴膜辊，进行Taiko环侧面滚压贴膜；步骤九、关闭所述底部气帘，将所述三段式贴膜辊移出。2.根据权利要求1所述的Taiko晶圆化...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪立华，吕剑，谭秀文，张召，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：