一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及晶圆吸盘技术领域，具体而言，涉及一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺，包括如下步骤：S1.准备面板；S2.在面板上安装钎焊料；S3.安装底板；S4.进行真空钎焊；S5.钎焊热处理，得到晶圆吸盘。本发明专利技术将真空钎焊技术运用到晶圆吸盘中，相比现有粘胶技术，本发明专利技术利用特定配比的铅焊料与钎焊温度，能使得晶圆吸盘在吸附晶圆更稳定，利于后期晶圆的检测。本发明专利技术制造工艺中还设计了钎焊热处理工艺步骤，通过设计该步骤能增强铝合金真空钎焊时的粘合能力。本发明专利技术中的真空钎焊技术可以同时实现钎焊时，各接触面的钎焊互不影响，克服了现有现有技术的粘胶，针对多个接触面的粘胶，往往会存在粘胶溢位、粘合不统一等问题，导致粘胶效果大大折扣。效果大大折扣。效果大大折扣。

【技术实现步骤摘要】
一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺


[0001]本专利技术涉及晶圆吸盘领域，具体而言，涉及一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，往往需要在晶圆中形成电路元件，为了确定电路元件与晶圆的相对位置，所述晶圆侧壁中具有凹口。在晶圆加工或检测过程中，经常需要将晶圆固定于加工装置上，从而方便对晶圆的加工。现有半导体加工工艺中，固定晶圆的方式主要由以下三种：第一，通过夹持头对晶圆进行夹持，从而固定晶圆；第二，通过静电吸附作用将晶圆固定于加工装置上；第三，采用真空吸附的方式来固定晶圆。其中，真空吸附的方式能够使晶圆受力均匀，不容易损伤晶圆，且真空吸附对环境的要求低。因此，通过真空吸附固定晶圆的方式应用较广泛。
[0003]现有技术一种晶圆承载吸盘(申请号CN202220379736.4)，由聚合材料板和衬底相互粘接而成，所述聚合材料板和衬底的上下接触面的平面度和平行度均不少于0.01；所述晶圆承载吸盘的外侧边缘上分布有至少一个间隔块组件和至少一个夹紧块组件，所述晶圆承载吸盘的外侧边缘上还设有槽口定位块和滚动轴承；所述晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺，包括如下步骤：S1.准备面板；S2.在面板上安装钎焊料；所述钎焊料包括Si、Fe、Cu、Mn、Mg、Zn、Al；S3.安装底板；S4.进行真空钎焊；S5.钎焊热处理，得到晶圆吸盘。2.根据权利要求1所述的一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺，其特征在于，晶圆吸盘包括面板和底板，所述面板上设有若干环形通孔，面板一面用于放置晶圆，其另一面设置为槽/面相互交替。3.根据权利要求2所述的一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺，其特征在于，在所述S1中，将面板设置有槽/面相互交替一面朝下放置。4.根据权利要求2所述的一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺，其特征在于，在所述S2中，根据不同钎焊温度，选择不同配比的铅焊料，将铅焊料安装在面板相互交替一面的面上。5.根据权利要求4所述的一种密封性极佳的晶圆吸盘制造工艺，其特征在于，钎焊温度低温591℃，高温605℃时，以质量百分比计，所述钎焊料包括9
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10.5％的Si、0.8％的Fe、0.25％的Cu、0.1％的Mn、1
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2％的Mg、0.2％的Zn、余量的Al，或者钎焊料包括9
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10.5％的Si、0.8％的Fe、0.25％的Cu、0.1％的Mn、1
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2％的Mg、0.2％的Zn、0.1％的Bi、余量的Al；钎焊温度低温585℃，高温605℃时，以质量百分比计，所述钎焊料包括9.5
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11％的Si、0.8％的Fe、0.25％的Cu、0.1％的Mn、0.2
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1％的Mg、0.2％的Zn、余量的Al；钎焊温度低温582℃，高温605℃时，以质量百分比计，所述钎焊料包括11
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13％的Si、0.8％的Fe、0.25％的Cu、0.1％的M...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳力，刘建，张朝磊，
申请(专利权)人：深圳晶准半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：