【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法。
技术介绍
[0002]光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，在部分半导体工艺制程中，需要在衬底上形成阵列排布的图形结构。光刻工艺是指对衬底进行涂胶、软烘、曝光和显影等一系列工艺，以在衬底表面制备出胶柱阵列，后续以胶柱阵列为掩膜，利用其他刻蚀工艺制备出图形阵列。可见，光刻工艺后形成的胶柱的参数与最终图形化衬底的图形参数息息相关。因此，需要对光刻工艺制备的胶柱的尺寸等参数进行监控测量。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法，以降低胶柱的观测难度，实现对衬底的无损检测。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种掩膜版，用于对平片衬底进行光刻，以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置，所述掩膜版包括：
[0005]第一图形区，所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；
[0006]至少一个第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，用于对平片衬底进行光刻，以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置，所述掩膜版包括：第一图形区，所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；至少一个第二图形区，所述第二图形区内包括第二掩膜图案；其中，所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光，所述第一掩膜图案用于形成所述多个胶柱，所述第二掩膜图案用于形成所述至少一个空缺位置。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形区位于所述掩膜版的中心，所述第二图形区位于所述第一图形区远离所述掩膜版的中心的至少一侧。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，包括多个所述第二图形区，所述第二图形区均匀围绕在所述第一图形区周围。4.一种图形化衬底的光刻方法，其特征在于，利用上述权利要求1～3任一项所述的掩膜版完成；所述光刻方法包括：提供平片衬底；在所述平片衬底的一侧表面形成光刻胶层，所述光刻胶层采用正性光刻胶制备；将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中，并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光；其中，所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光；对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以通过所述第一掩膜图案在所述平片衬底上形成多个胶柱，通过所述第二掩膜图案在所述平片衬底上形成至少一个空缺位置；其中，多个所述胶柱中包括至少一个待观测胶柱，沿所述图形化衬底的至少一个观测方向，所述待观测胶柱从所述空缺位置暴露；所述观测方向为所述待观测胶柱侧壁的任意位置指向所述待观测胶柱底部中心的方向。5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻胶层包括多个边缘相接的曝光场，沿曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述掩膜版的所述第一图形区的投影图形的尺寸与所述光刻胶层的任意所述曝光场的投影图形的尺寸相同；所述曝光场包括至少一个第一曝光场以及多个第二曝光场，所述第二曝光场与所述第一曝光场的任意边缘相接；所述第一曝光场中包括目标区域，所述空缺位置形成于所述目标区域；将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中，并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，包括：将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中；调整所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置，使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述掩膜版的所述第一图形区与所述光刻胶层的所述第二曝光场的投影重合，所述掩膜版的所述第二图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场交叠；其中，沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述第二图形区中的所述第二掩膜图案的投影覆盖所述第一曝光场中的所述目标区域的投影；控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区和所述第二图形区，同时对所述第二曝光场以及所述第一曝光场中的所述目标区域进行曝光。6.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，在掩膜版上，所述第二图形区的数量大于或等于2；在曝光场中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张巳旸，王子荣，张剑桥，向炯，张锦宏，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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