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本发明公开了一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法。掩膜版包括：第一图形区，第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；至少一个第二图形区，第二图形区内包括第二掩膜图案；其中第一掩膜图案不透光，第二掩膜图案透光。利用上述掩膜版对平片衬底进行光刻...
该专利属于广东中图半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中图半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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