用于EUV光刻的超薄超低密度膜制造技术

公开了一种过滤形成的纳米结构护层膜。所述过滤形成的纳米结构护层膜包括多条碳纳米纤维，所述多条碳纳米纤维随机交叉以形成呈平面定向的互连网络结构。所述互连结构在厚度处于3nm的下限到100nm的上限范围内的情况下允许至少92％的高最小EUV透射率，以允许有效地进行EUV光刻处理。进行EUV光刻处理。进行EUV光刻处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于EUV光刻的超薄超低密度膜


[0001]本公开总体来说涉及用于半导体微芯片制作中的薄膜和薄膜装置，并且更具体地涉及用于极紫外线(EUV)光刻的超薄超低密度纳米结构独立护层(free
‑
standing pellicle)膜。

技术介绍

[0002]护层是覆盖光掩模的保护性覆盖物并且用于半导体微芯片制作中。光掩模可指代具有孔或透明部的不透明板，所述孔或透明部允许光以限定的图案透过。此类光掩模可常用于光刻和集成电路的生产中。光掩模作为主模板用于在衬底上产生图案，所述衬底通常是薄的硅切片，就半导体芯片制造来说被称为晶圆。
[0003]颗粒污染在半导体制造中可能是一个严重的问题。护层保护光掩模不受颗粒影响，所述护层是伸展在框架上方的薄透明膜，所述框架附接在光掩模的图案化侧上方。护层离掩模很近，但是足够远，使得落在护层上的中到小尺寸的颗粒将离焦太远不会被印出。最近，微芯片制造行业意识到护层还可保护光掩模不被源于除了颗粒和污染物之外的原因损坏。
[0004]极紫外线光刻是一种使用一定范围的EUV波长(更具体来说，13.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种纳米结构膜，所述纳米结构膜包括：多条碳纳米纤维，所述多条碳纳米纤维随机交叉以形成呈平面定向的互连网络结构，所述互连网络结构具有在3nm的下限到100nm的上限范围内的厚度和92％的最小EUV透射率，其中所述多条碳纳米纤维包括至少50％的双壁碳纳米纤维。2.根据权利要求1所述的纳米结构膜，其中所述厚度在所述3nm的下限到40nm的上限的范围内。3.根据权利要求1所述的纳米结构膜，其中所述厚度在所述3nm的下限到20nm的上限的范围内。4.根据权利要求1所述的纳米结构膜，其中所述互连网络结构的平均厚度为11nm。5.根据权利要求1所述的纳米结构膜，其中EUV透射率上升到高于95％。6.根据权利要求1所述的纳米结构膜，其中EUV透射率上升到高于98％。7.根据权利要求1所述的纳米结构膜，其中所述多条碳纳米纤维还包括单壁碳纳米管和多壁碳纳米管，并且其中单壁碳纳米管的壁数目是一，所述双壁碳纳米管的壁数目是二，并且所述多壁碳纳米管的壁数目是三个或更多个。8.根据权利要求7所述的纳米结构膜，其中所述单壁碳纳米管占所有碳纳米管的百分比在20％到40％之间，双壁碳纳米管占所有碳纳米管的百分比为50％或更高，其余碳纳米管是多壁碳纳米管。9.根据权利要求7所述的纳米结构膜，其中所述单壁碳纳米管占所有碳纳米管的20％以上，双壁碳纳米管占所有碳纳米管的75％以上，所述其余碳纳米管是占所有碳纳米管的其余百分比的多壁碳纳米管。10.根据权利要求8所述的纳米结构膜，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：MD利马，植田贵洋，
申请(专利权)人：琳得科美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：