存储单元、存储阵列及加工方法技术

本发明专利技术提供一种存储单元、存储阵列及加工方法，其中的存储单元包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，第一二极管包括n阱以及与n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第二二极管包括p阱以及与p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；第一N型掺杂区与字线连接，第二P型掺杂区与RESET线连接；第一P型掺杂区以及第二N型掺杂区分别通过电阻存储器与位线连接。利用上述发明专利技术能够实现较小尺寸且具有较大驱动电流的存储阵列。具有较大驱动电流的存储阵列。具有较大驱动电流的存储阵列。

【技术实现步骤摘要】
存储单元、存储阵列及加工方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，更为具体地，涉及一种存储单元、存储阵列及其加工方法。

技术介绍

[0002]对于阻变存储器(RRAM)或相变存储器(PCRAM)来说，1T1R(1个晶体管和1个阻变或相变存储器)的阵列架构是常用的阵列架构。与1T1R的阵列架构相比，2D1R(2个二极管和1个阻变或相比存储器)的阵列架构可以获得更高的工作电流、更低的泄流电流以及更高的阵列密度。
[0003]现有的2D1R结构存在的缺陷主要有：驱动电流需要流过一个阻值相对较高的阱电阻，会产生电压降，导致到达距离阱引出端较远的选中电阻时，电压降较大，不利于SET和RESET操作，使得驱动电流较小；此外。如果所有的二极管均采用同一类型的阱，会使得阱与阱之间的隔离性能较差，很难通过深隔离槽实现完全隔离，影响电路的整体性能。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种存储单元、存储阵列及加工方法，已解决现有的存储方式存在的隔离性较差，驱动电流受限，整体性能不佳等问题。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，所述第一二极管包括n阱以及与所述n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，所述第二二极管包括p阱以及与所述p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；所述第一N型掺杂区与字线连接，所述第二P型掺杂区与RESET线连接；所述第一P型掺杂区以及所述第二N型掺杂区分别通过电阻存储器与位线连接。2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，在所述第一P型掺杂区上设置有第一接触孔，在所述第二N型掺杂区上设置有第二接触孔；所述第一接触孔和所述第二接触孔分别与第一电极连接；所述电阻存储器设置在所述第一电机与所述位线之间。3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述电阻存储器通过第二电极与所述位线连接；所述电阻存储器限位在所述第一电极和所述第二电极之间。4.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述电阻存储器包括相变材料层和阻变材料层；并且，所述电子存储器的状态包括高阻态和低阻态。5.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，在所述第一N型掺杂区和所述第一P型掺杂区之间，以及相邻的两第一P型掺杂区之间均设置有第一隔离槽；在所述第二N...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹恒，仇圣棻，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：