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本发明提供一种存储单元、存储阵列及加工方法，其中的存储单元包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，第一二极管包括n阱以及与n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第二二极管包括p阱以及与p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；第...
该专利属于昕原半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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