半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种包括至少一个存储单元的半导体器件。存储单元包括：第一电极层；第二电极层；选择元件层，其耦接在第一电极层与第二电极层之间；以及绝缘层，其耦接在第一电极层和第二电极层之间，使得绝缘层的侧表面与选择元件层的侧表面接触，其中，选择元件层包括掺杂有第一元素的绝缘材料，以及其中，绝缘层包括掺杂有低于选择元件层的浓度的第一元素的绝缘材料，或未掺杂有第一元素的绝缘材料。或未掺杂有第一元素的绝缘材料。或未掺杂有第一元素的绝缘材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月27日提交的的韩国专利专利申请第10
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2021
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0144560号的优先权和权益，其整体通过引用并入本文。


[0003]本专利文件涉及存储电路或装置以及它们在电子装置或系统中的应用。

技术介绍

[0004]近来，电子设备趋向小型化、低功耗、高性能和多功能性。电子设备的近来趋势导致诸如半导体存储器件的半导体器件的使用增加，以在诸如计算机和便携式通信装置的各种电子设备中存储信息。这样的半导体器件可以利用不同电阻值之间的电阻切换机制来存储数据，该电阻值根据施加在半导体器件(例如，电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和电子熔丝(E
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fuse))上的电压或电流而变化。

技术实现思路

[0005]本专利文件中公开的技术涉及包括存储单元的半导体器件，该半导体器件具有优异操作特性并且可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括至少一个存储单元，所述存储单元包括：第一电极层；第二电极层；选择元件层，其耦接在所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及绝缘层，其耦接在所述第一电极层与所述第二电极层之间，使得所述绝缘层的侧表面与所述选择元件层的侧表面接触，其中，所述选择元件层包括掺杂有第一元素的绝缘材料，以及其中，所述绝缘层包括相比于所述选择元件层而以较低浓度掺杂有所述第一元素的绝缘材料，或未掺杂有所述第一元素的绝缘材料。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述选择元件层包括掺杂有砷的第一硅氧化物层，以及其中，所述绝缘层包括第二硅氧化物层，其中，所述第二硅氧化物层为未掺杂的硅氧化物或者掺杂有砷或砷与氯的组合中的至少一种，以及其中，所述第二硅氧化物层中砷的掺杂浓度小于所述第一硅氧化物层中砷的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述选择元件层的宽度小于所述第一电极层的宽度或所述第二电极层的宽度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层包括构造为围绕所述选择元件层的侧表面的内侧表面。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述绝缘层包括与所述第一电极层的侧表面和所述第二电极层的侧表面对齐的外侧表面。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述选择元件层包括与所述第一电极层接触的第一端和与所述第二电极层接触的第二端，以及其中，所述第一端的宽度大于所述第二端的宽度。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述绝缘层包括与所述第一电极层接触的第一端和与所述第二电极层接触的第二端，以及其中，所述第一端的宽度小于所述第二端的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元还包括：间隔件层，其与所述绝缘层的侧表面接触。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元还包括：可变电阻层，其连接至所述第一电极层或所述第二电极层。10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋政桓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：