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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种包括至少一个存储单元的半导体器件。存储单元包括：第一电极层；第二电极层；选择元件层，其耦接在第一电极层与第二电极层之间；以及绝缘层，其耦接在第一电极层和第二电极层之间，使得绝缘层的侧表面与选择...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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