一种石墨烯转移方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯转移方法，包括：石墨烯生长、应力层沉积、临时键合胶成膜、衬底贴附、剥离、与目标衬底范德华键合、解键合、清洗、应力层刻蚀。本发明专利技术可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用于规模化生产、半导体兼容的石墨烯，具有良好的市场应用前景。好的市场应用前景。好的市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯转移方法


[0001]本专利技术属于集成电路制造领域，特别涉及一种石墨烯转移方法。

技术介绍

[0002]由于石墨烯具有优异的物理和化学性能，使其在包括电子和光电在内的领域具有广阔的应用前景，而引发了巨大的科学和工业兴趣。CVD生长石墨烯为石墨烯大面积应用提供了基础。为了获得更广泛的应用，石墨烯需要转移至绝缘衬底、半导体衬底或柔性衬底上。目前能够获得大尺寸石墨烯转移的方法主要有以PMMA为代表的介质层辅助湿法腐蚀法和PMMA介质辅助的电化学鼓泡法等。以上转移过程中不可避免得引入破损、金属残留、褶皱以及石墨烯与衬底界面吸附的水氧造成掺杂等缺陷。这些缺陷与湿法转移相伴而生，无法克服。另外，这些转移方法不仅效率低，而且难以获得高质量的石墨烯。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种石墨烯转移方法，该方法可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用于规模化生产、半导体兼容的石墨烯，具有良好的市场应用前景。
[0004]本专利技术提供了一种石墨烯转移方法，包括如下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯转移方法，包括如下步骤：提供一衬底；生长石墨烯层于所述基底的上表面；沉积应力层于所述石墨烯层的上表面；旋涂临时键合胶于所述应力层的上表面；在真空环境下，将过渡临时刚性衬底贴附于所述临时键合胶的上表面；通过机械剥离将所述过渡临时刚性衬底与所述衬底剥离，此时所述石墨烯层、应力层和临时键合胶形成的叠层结构从所述衬底剥离；在真空环境下，将所述叠层结构与目标衬底完成范德华键合；通过解键合，将所述过渡临时刚性衬底分离；清洗，去除所述临时键合胶；对所述应力层进行刻蚀，获得目标衬底上的石墨烯结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底包括铜、镍、锗、钛、铂、金、铁、银中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：生长所述石墨烯层的方法包括化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积中的至少一种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述应力层包括金属层或介质层；所述金属层为铜层、镍层、锗层、钛层、铂层中的至少一种，所述介质层为ZrO2、HfO2、Y2O3、Al2O3、MoO3、SiO2中的至少一种；沉积所述应力层的方法包括热蒸发、溅射、物理气相沉积、原子层沉积、分子束外延、化学气相沉积中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述临时键合胶包括热敏、光敏、化学敏...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜海涛，狄增峰，张苗，薛忠营，田子傲，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：