【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片材料的化学机械抛光(CMP)，更具体来说涉及用来在介电材料或阻挡层材料的存在下对半导体晶片上的金属互连元件进行抛光的CMP组合物和方法。
技术介绍
通常半导体晶片是具有介电层的硅晶片，所述介电层包括多个沟槽，这些沟槽在介电层内设置形成用于电路互连的图案。所述图案设置通常具有波纹结构或双重波纹结构。阻挡层覆盖着所述图案化的介电层，金属层覆盖着所述阻挡层。所述金属层的厚度至少足以填充所述图案化的沟槽，形成电路互连。 CMP工艺经常包括多个抛光步骤。例如，第一步以初始高速率除去过量的互连金属，例如铜。第一步去除之后，可以通过第二步抛光除去残留在阻挡层之上、金属互连以外的金属。随后的抛光从半导体晶片的下面的介电层除去阻挡层，在介电层和金属互连上提供平坦的抛光表面。 半导体基片上的沟槽或凹槽中的金属提供形成金属电路的金属线。一个有待克服的问题是，所述抛光操作会从各个沟槽或凹槽除去金属，导致这些金属的凹陷。凹陷是不希望出现的，因为这会导致金属电路临界尺寸的变化。为了减少凹陷现象，人们在较低的抛光压力下进行抛光。但是，如果仅仅减小抛光压力，将...
【技术保护点】
一种可用来对含铜互连金属的图案化半导体晶片进行化学机械抛光的水性组合物，该组合物包含：氧化剂，用于所述铜互连金属的抑制剂，０．００１－１５重量％的水溶性改性纤维素，非糖类水溶性聚合物，０－１５重量％的用于铜互连金属的络合剂，０－１５重量％的磷化合物，０．０５－２０重量％的下式所示的酸化合物，以及水： ＊＊＊ 式中Ｒ是氢或含碳化合物，所述酸化合物能够与铜离子络合；所述溶液具有酸性的ｐＨ值。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：TM托马斯，王红雨，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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