【技术实现步骤摘要】
具有可润湿侧面的基于基板的封装半导体器件
[0001]本公开的各方面涉及基于基板的封装半导体器件。本公开还涉及载体及其制造方法,该载体包括多个未切单的基于基板的封装半导体器件。
技术介绍
[0002]对于所有需要优良射频(RF)性能(例如高速数据通信或高速切换(high
‑
speed switching))的应用,具有超低电容和电感的半导体器件是必不可少的。与传统的基于引线框架的封装件相比,使用例如Land
[0003]Grid Array(LGA)封装的有机层压基板的基于基板的封装件或使用(预)模制基板的封装件具有低寄生性,并且可以满足这个关键要求。这可以利用优化的基板顶层和/或基板内部再分布层布局来实现,例如通过使未电连接并且因此具有相同电势的金属层之间避免任何重叠。
[0004]基于基板的封装半导体器件在本领域中是已知的。这些封装件包括基板,该基板包括一个或多个绝缘层。基板具有上表面、下表面以及多个侧表面。在上表面上设置有顶部金属层,并且在下表面上设置有底部金属层。根据绝缘层的数量,基板可以设置有一个或多个内部金属层。
[0005]已知的基于基板的封装半导体器件还包括集成有电子元件或电路的半导体管芯。电子元件或电路具有一个或多个管芯端子,并且半导体管芯安装在基板的上表面上。此外,已知的基于基板的封装半导体器件包括一个或多个封装端子,封装端子至少部分使用下金属层来形成。这些封装端子与一个或多个管芯端子电连接。通常,该器件还包括固化模塑料主体,该固化模塑料主体覆盖基板的上表 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种载体(1),其包括多个未切单的基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300),所述载体(1)包括:基板(2),其包括一个或多个绝缘层(3、3A、3B),并且具有上表面(2A)、下表面(2B)和布置在所述下表面(2B)上的下金属层(4B);对于每个基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300),具有集成有电子元件或电路的半导体管芯(11),所述电子元件或电路具有一个或多个管芯端子(12),其中,所述半导体管芯(11)安装在所述基板(2)的所述上表面(2A)上,并且,所述基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300)构造成以其下表面安装在另一个基板或载体上;对于每个基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300),具有一个或多个封装端子(5),所述一个或多个封装端子(5)至少部分使用所述下金属层(4B)来形成,所述一个或多个封装端子(5)与所述基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300)的所述半导体管芯(11)的所述一个或多个管芯端子(12)电连接;其中,所述一个或多个绝缘层(3、3A、3B)中的最下绝缘层具有腔(6、6A、6B),所述腔(6、6A、6B)布置在所述多个未切单的基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300)的所述一个或多个封装端子(5)附近并且与所述一个或多个封装端子(5)相关联,其中,所述腔(6、6A、6B)的内壁(7)覆盖有导电体(8、8A、8B),所述导电体(8、8A、8B)与对应的相关联的封装端子(5)连接;所述未切单的基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300)由所述基板的分离区域(9)分离,其中,所述腔(6、6A、6B)至少部分形成在所述分离区域(9)中。2.根据权利要求1所述的载体(1),其中,给定的未切单的基于基板的封装半导体器件(100A)的每个腔(6A)与相邻的未切单的基于基板的封装半导体器件(100B)的腔(6B)一起形成连续腔(6),所述载体优选构造成沿多个切单线(S1)被切割、锯切,冲压,或通过其它方式经受切断动作,以用于对所述多个未切单的基于基板的封装半导体器件进行切单,所述连续腔的中心点与所述切单线对准。3.根据前述权利要求中任一项所述的载体(1),其中,所述腔(6、6A、6B)完全延伸通过所述最下绝缘层(3、3A、3B)。4.根据前述权利要求中任一项所述的载体(1),其中,每个封装端子(5)与对应的腔(6、6A、6B)相关联,并且,每个腔(6、6A、6B)设置有导电体(8、8A、8B),所述导电体(8、8A、8B)连接至与所述腔(6、6A、6B)相关联的所述封装端子(5),根据权利要求2,给定的未切单的基于基板的封装半导体器件(100A)的腔(6A)中的所述导电体(8A)优选与相邻的未切单的基于基板的封装半导体器件(100B)的腔(6B)中的所述导电体(8B)一起形成连续导电体(8)。5.根据前述权利要求中任一项所述的载体(1),其中,所述导电体(8、8A、8B)包括一个或多个金属层,所述导电体(8、8A、8B)优选还包括布置在所述一个或多个金属层上的可焊接导电材料(8C),所述可焊接导电材料(8C)优选选自由Ag、Bi、Cu、In、Sb、Sn、Pb、Zn或其组合组成的群组的材料,和/或所述载体还包括固化模塑料(14)的主体,所述固化模塑料(14)的主体覆盖所述基板(2)的所述上表面(2A)并且包封所述半导体管芯(11)。6.根据前述权利要求中任一项所述的载体(1),还包括布置在所述基板(2)的所述上表面(2A)上的上金属层(4A),所述上金属层(4A)至少部分形成内部端子(18),所述内部端子(18)与所述多个未切单的基于基板的封装半导体器件(100A、100B、200、300)的所述管芯端
子(12)连接,其中,所述内部端子(18)优选通过布置在所述腔(6、6A、6B)的所述内壁(7)上的所述导电体(8、8A、8B)与所述封装端子(5)电连接。7.根据前述权利要求中任一项所述的载体(1),其中,所述基板(2)包括多个绝缘层(3A、3B)和布置在相邻绝缘层(3A、3B)之间的一个或多个内金属层(19),布置在所述腔(6、6A、6B)的所述内壁(7)上的所述导电体(8、8A、8B)与所述一个或多个内金属层(19)连接和/或部分地由所述一个或多个内金属层(19)形成,所述一个或多个内金属层(19)布置在所述最下绝缘层中的最上绝缘层(3B)和布置在所述最上绝缘层上方的绝缘层(3A)之间,其中,根据权利要求6,所述一个或多个内金属层(19)优选使用穿过所述一个或多个绝缘层中除所述最下绝缘层(3B)之外的所述绝缘层(3A)的一个或多个导通部(17)而与所述内部端子(18)电连接。8.根据权利要求1至6中任一项所述的载体(1),其中,所述基板(2)包括多个绝缘层(3A、3B),所述腔(6、6A、6B)延伸通过所述...
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