【技术实现步骤摘要】
一种用于IGBT芯片的安装结构
[0001]本技术属于IGBT芯片
,具体为一种用于IGBT芯片的安装结构。
技术介绍
[0002]IGBT芯片,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,现有的IGBT芯片的安装部分采用螺钉进行组装,芯片体积和操作空间均不大,因此螺钉的拧紧和拆卸过程具有一定的操作难度,且拧紧的程度无法做到精准控制,可能出现拧紧程度过高出现芯片裂痕的情况,因此需要一种用于IGBT芯片的安装结构来解决上述问题。
技术实现思路
[0003]为了克服上述缺陷,本技术提供了一种用于IGBT芯片的安装结构,解决了芯片在进行安装时操作具有一定难度,且安装过程容易存在拧紧程度无法控制,拧紧程度过高容易造成芯片损伤的问题。
[0004]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种用于IGBT芯片的安装结构,包括安装板,所述安装板的正面设有背板,所述背板的正面设有芯片主体,所述背板的背面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于IGBT芯片的安装结构,包括安装板(1),其特征在于:所述安装板(1)的正面设有背板(3),所述背板(3)的正面设有芯片主体(2),所述背板(3)的背面设有连接板(4),所述连接板(4)的背面连接有旋转板(8),所述旋转板(8)的背面转动设有移动板(12),所述移动板(12)的背面通过四个弹性装置(13)连接在同一放置槽(9)内,所述放置槽(9)开设在安装板(1)的正面,所述放置槽(9)内开设有两个延伸槽(10),所述旋转板(8)和移动板(12)均位于放置槽(9)内,所述放置槽(9)内开设有两个限位槽(11),所述限位槽(11)内设有连接在连接板(4)侧面的延伸块(6),所述旋转板(8)的背面设有四个滚珠(14),四个所述滚珠(14)转动设在同一支撑环(15)的正面,所述支撑环(15)的背面连接有四个设在放置槽(9)内的活塞装置(16),四个所述活塞装置(16)均通过连接管(17)与同一支撑气囊(18)连通,所述支撑气囊(18)设在背板(3)与安装板(1)之间。2.根据权利要求1所述的一种用于IGBT芯片的安装结构,其特征在于:所述连接板(4)的背面设有四个连接柱(5),所述连接柱(5)设在移动板(12)正面开设的连接槽(7)内,所述旋转板(8)的形状与放置槽(9)和延伸槽(10)的组合形状相同。3.根据权利要求1所述的一种用于IG...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛亮,董腾月,葛莹,
申请(专利权)人:青岛科芯半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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