本发明专利技术通过空穴传输层与电子阻挡层的优选组合，提供能够以更低电压且高效率进行驱动的有机EL元件。上述有机EL元件在阳极与阴极之间夹持至少包含发光层的有机薄膜，所述有机薄膜具备以下(i)～(iv)。(i)具有包含通式(1)所示三胺衍生物的空穴传输层。(ii)空穴传输层的膜厚为40～400nm。(iii)空穴传输层的部分或全部含有0.1～20％的受体性化合物，及/或在阳极与所述空穴传输层之间具有由所述受体性化合物形成的空穴注入层。(iv)在所述空穴传输层与发光层之间具有包含通式(2)所示的单胺衍生物的电子阻挡层。的电子阻挡层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机EL元件
[0001]本专利技术涉及在空穴传输带区域具有三胺衍生物和单胺衍生物的有机EL元件。
技术介绍
[0002]有机EL元件中，通过在一对的电极间施加电压，分别将空穴从阳极注入到包含有机化合物作为发光材料的发光层中、将电子从阴极注入到包含有机化合物作为发光材料的发光层中，所注入的电子及空穴进行复合，从而在发光性的有机化合物中形成激发子，由被激发的有机化合物可以获得发光。即，由于是自发光性元件，因此有机EL元件与液晶元件相比更明亮，可视性优异，能够进行鲜明的显示。有机EL元件作为发挥作为自发光性元件的优点，高发光效率、高画质、低耗电、长寿命、进而薄型的设计性优异的发光元件受到期待。
[0003]有机EL元件中，由于夹在一对电极间的有机化合物层是厚度为1μm以下的薄膜，因此在电极间易发生电流的短路。为了回避该问题，一般来说，有机化合物层中采用使空穴传输层的膜厚为最大的元件构成。其理由在于，为了尽量减小因制成厚膜所导致的电压上升而将迁移率最大的空穴传输层制成厚膜。
[0004]作为这种空穴传输层中使用的材料，已知胺类。胺类由于吸引氢原子、易带正电，即在空穴传输层中易变为载流子，因此探讨了各种胺衍生物。例如，专利文献1中报告了在空洞注入电极(阳极)与电子注入电极(阴极)之间形成有有机空洞传输层和有机发光层的有机双层结构中，以及形成有有机空洞传输层、有机发光层和电子传输层的有机三层结构中，在有机空洞传输层中使用了包含芳香族三胺衍生物或芳香族骨架的三胺衍生物的有机发光元件。
[0005]为了实现有机EL元件的性能提高，在空穴传输带区域中除了空穴传输层之外，还设置电子阻挡层。通过在发光层与空穴传输层之间设置电子阻挡层，将电子封闭在发光层内，提高电荷的复合准确率，提高元件的发光效率，改善发光寿命。
[0006]作为通过设置电子阻挡层，提高有机EL元件的发光特性的例子，专利文献2中报告了在电子阻挡层中使用了单胺衍生物，具体地说使用了芳香族单胺衍生物或包含芳香族骨架的单胺衍生物的例子。
[0007]另外，还已知为了改善空穴传输层的电荷注入，在空穴传输层中少量添加受体性化合物。专利文献3中报告了作为半导体材料的p
‑
掺杂物或空洞注入物质蒸镀轴烯衍生物的例子。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本专利第3565870号公报
[0011]专利文献2：日本特开2016
‑
092297号公报
[0012]专利文献3:日本特表2018
‑
506137号公报
技术实现思路
[0013]专利技术要解决的技术问题
[0014]本专利技术的目的在于，通过进行空穴传输层与电子阻挡层的优选组合，实现能够以更低电压且高效率进行驱动的有机EL元件。
[0015]用于解决技术问题的手段
[0016]本专利技术的有机EL元件在阳极与阴极之间夹持至少包含发光层的有机薄膜，上述有机薄膜具备以下(i)～(iv)。
[0017](i)具有包含下述通式(1)所示三胺衍生物的空穴传输层。
[0018](ii)上述空穴传输层的膜厚为40～400nm。
[0019](iii)上述空穴传输层的部分或全部含有0.1～20％的受体性化合物，及/或在阳极与上述空穴传输层之间具有由上述受体性化合物形成的空穴注入层。
[0020](iv)在上述空穴传输层与发光层之间具有包含下述通式(2)所示的单胺衍生物的电子阻挡层。
[0021][化学结构式1][0022][0023]通式(1)中，R1～R5各自独立地表示氢、氘、氟、甲硅烷基、碳数为1～6的烷基、核碳数为6～30的芳基或核原子数为5～30的杂芳基，n1～n5表示1～5的整数，n1～n5为2以上时，R1～R5可分别相同也可不同，R1～R5中，相邻的2个取代基还可彼此连接形成饱和或不饱和的环。
[0024][化学结构式2][0025][0026]通式(2)中，R6～R8各自独立地表示氢、氘、氟、甲硅烷基、碳数为1～6的烷基、核碳数为6～30的芳基或核原子数为5～30的杂芳基，n6～n8表示1～5的整数，n6～n8为2以上时，R6～R8可分别相同也可不同，相邻的取代基之间还可连接形成饱和或不饱和的环。
[0027]上述受体性化合物优选以铁铈齐
‑
二茂铁的氧化还原对(Fc+/Fc)为基准，在+0.10V～+0.50V的范围内具有乙腈溶液中的利用循环伏安法(CV)获得的可逆性氧化还原电位。
[0028]上述受体性化合物优选是通式(3)所示的轴烯衍生物。
[0029][化学结构式3][0030][0031]通式(3)中，A1以及A2各自独立地为其氢被芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基，
[0032]上述芳基以及杂芳基为4
‑
氰基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基、2,3,5,6
‑
四氟吡啶
‑4‑
基、4
‑
三氟甲基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基、2,4
‑
双(三氟甲基)
‑
3,5,6
‑
三氟苯基、2,5
‑
双(三氟甲基)
‑
3,4,6
‑
三氟苯基、2,4,6
‑
三(三氟甲基)
‑
1,3
‑
二嗪
‑5‑
基、3,4
‑
二氰基
‑
2,5,6
‑
三氟苯基、2
‑
氰基
‑
3,5,6
‑
三氟吡啶
‑4‑
基、2
‑
三氟甲基
‑
3,5,6
‑
三氟吡啶
‑4‑
基、2,5,6
‑
三氟
‑
1,3
‑
二嗪
‑4‑
基、五氟苯基或3
‑
三氟甲基
‑4‑
氰基
‑
2,5,6
‑
三氟苯基，
[0033]上述芳基以及杂芳基中，至少一个为2,3,5,6
‑
四氟吡啶
‑4‑
基、2,4
‑
双(三氟甲基)
‑
3,5,6
‑
三氟苯基、2,5
‑
双(三氟甲基)
‑
3,4,6
‑
三氟苯基、2,4,6
‑
三(三氟甲基)
‑
1,3
‑
二嗪
‑5‑
基、3,4
‑
二氰基
‑
2,5,6
‑
三氟苯基、2
‑
氰基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机EL元件，其特征在于，在阳极与阴极之间夹持至少包含发光层的有机薄膜，所述有机薄膜具备以下(i)～(iv)，(i)具有包含下述通式(1)所示三胺衍生物的空穴传输层，(ii)所述空穴传输层的膜厚为40～400nm，(iii)所述空穴传输层的部分或全部含有0.1～20wt％的受体性化合物，及/或在阳极与所述空穴传输层之间具有由所述受体性化合物形成的空穴注入层，(iv)在所述空穴传输层与发光层之间具有包含下述通式(2)所示的单胺衍生物的电子阻挡层，[化学结构式1]通式(1)中，R1～R5各自独立地表示氢、氘、氟、甲硅烷基、碳数为1～6的烷基、核碳数为6～30的芳基或核原子数为5～30的杂芳基，n1～n5表示1～5的整数，n1～n5为2以上时，R1～R5可分别相同也可不同，R1～R5中，相邻的2个取代基还可彼此连接形成饱和或不饱和的环，[化学结构式2]通式(2)中，R6～R8各自独立地表示氢、氘、氟、甲硅烷基、碳数为1～6的烷基、核碳数为6～30的芳基或核原子数为5～30的杂芳基，n6～n8表示1～5的整数，n6～n8为2以上时，R6～R8可分别相同也可不同，相邻的取代基之间还可连接形成饱和或不饱和的环。2.根据权利要求1所述的有机EL元件，其中，所述受体性化合物以铁铈齐
‑
二茂铁的氧化还原对(Fc+/Fc)为基准，在+0.10V～+0.50V的范围内具有乙腈溶液中的利用循环伏安法获得的可逆性氧化还原电位。3.根据权利要求1所述的有机EL元件，其中，所述受体性化合物是通式(3)所示的轴烯衍生物，[化学结构式]
通式(3)中，A1以及A2各自独立地为其氢被芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基，所述芳基以及杂芳基为4
‑
氰基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基、2,3,5,6
‑
四氟吡啶
‑4‑
基、4
‑
三氟甲基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基、2,4
‑
双(三氟甲基)
‑
3,5,6
‑
三氟苯基、2,5
‑
双(三氟甲基)
‑
3,4,6
‑
三氟苯基、2,4,6
‑
三(三氟甲基)
‑
1,3
‑
二嗪
...
【专利技术属性】
技术研发人员：川村久幸，五十岚正拓，
申请(专利权)人：株式会社弗莱斯克，
类型：发明
国别省市：
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