发光器件、发光装置、受发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

提供一种耐热性良好的发光器件、发光装置、受发光装置、电子设备及照明装置。该发光器件中包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的EL层，EL层包括发光层及第一层，第一层位于发光层与阴极之间，发光层与第一层接触，发光层包含第一有机化合物及发光物质，第一层包含第二有机化合物，发光物质为发射蓝光的物质，第一有机化合物为具有稠合芳香烃环的有机化合物，第二有机化合物为具有选自吡啶环、二嗪环和三嗪环中的一个的杂芳环骨架及联咔唑骨架的有机化合物。机化合物。机化合物。

【技术实现步骤摘要】
fabrication using standard UV photolithography”phys.stat.sol.(RRL)2，No.1，p.16
‑
18(2008)

技术实现思路

[0010]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种耐热性高的发光器件。本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的发光器件。本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种功耗低的发光器件、发光装置、电子设备、显示装置及电子器件。本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种功耗低且可靠性高的发光器件、发光装置、电子设备、显示装置及电子器件。
[0011]注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
[0012]通过在发光器件中使用高玻璃化转变点(Tg)的材料，可以提高发光器件的耐热性，为了提高Tg，一般可以举出增大分子量或者引入环数多的稠合环。具体而言，引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及所述阳极与所述阴极之间的EL层，其中，所述EL层包括发光层及第一层，所述第一层位于所述发光层与所述阴极之间，所述发光层与所述第一层接触，所述发光层包含第一有机化合物及发光物质，所述第一层包含第二有机化合物，所述发光物质为发射蓝光的物质，所述第一有机化合物为具有稠合芳香烃环的有机化合物，并且，所述第二有机化合物为一种有机化合物，包含：具有选自吡啶环、二嗪环和三嗪环中的一个的杂芳环骨架；以及联咔唑骨架。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述稠合芳香烃环为由苯环构成的稠环。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述杂芳环骨架为包含所述吡啶环或所述二嗪环的稠合杂芳环骨架。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一有机化合物的玻璃化转变点及所述第二有机化合物的玻璃化转变点都为100℃以上且180℃以下。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光物质发射荧光。6.根据权利要求1所述的发光器件，还包括与所述阳极接触且在所述阳极与所述发光层之间的第二层，其中所述第二层包含第三有机化合物及第四有机化合物，所述第四有机化合物从所述第三有机化合物接收电子，并且所述第二层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。7.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及所述阳极与所述阴极之间的EL层，其中，所述EL层包括发光层及第一层，所述第一层位于所述发光层与所述阴极之间，所述发光层与所述第一层接触，所述发光层包含第一有机化合物及发光物质，所述第一层包含第二有机化合物，所述发光物质为发射蓝光的物质，所述第一有机化合物为具有蒽环、苯并蒽环、二苯并蒽环、环、萘环、菲环和三亚苯环中的任一个的有机化合物，
并且，所述第二有机化合物为一种有机化合物，包含：具有选自吡啶环、二嗪环和三嗪环中的一个的杂芳环骨架；以及联咔唑骨架。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一有机化合物的玻璃化转变点及所述第二有机化合物的玻璃化转变点都为100℃以上且180℃以下。9.一种在阳极与阴极之间包括EL层的发光器件，其中，所述EL层至少包括发光层，与所述发光层接触的第一层位于所述发光层与所述阴极之间，所述发光层包含发光物质及第一有机化合物，所述第一层包含第二有机化合物，所述第二有机化合物为具有电子传输性的有机化合物，所述发光物质为发射蓝光的物质，所述第一有机化合物为由通式(G1)表示的有机化合物，所述第二有机化合物为由通式(G300)表示的有机化合物，R1至R
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分别独立地表示氢和碳原子数为1至25的芳基中的任意个，并且，A
300
表示具有吡啶骨架的杂芳环、具有二嗪骨架的杂芳环和具有三嗪骨架的杂芳环中的任意个，R
301
至R
315
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基、取代或未取代的碳原子数为3至13的杂芳基中的任意个，Ar
300
表示取代或未取代的碳原子数为6至25的亚芳基或单键。10.根据权利要求9所述的发光器件，还包括与所述阳极接触且在所述阳极与所述发光
层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，吉安唯，大泽信晴，铃木恒德，佐佐木俊毅，桥本直明，久保田朋广，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：