半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备：半导体芯片(30)，在SiC衬底中形成有元件；热沉(40、50)及接线端(60)，是以夹着半导体芯片(30)的方式配置的散热部件；以及焊料(90、91、92)，介于半导体芯片与散热部件之间而形成接合部。焊料(90、91)是以下的合金组分的无铅焊料：以3.2～3.8质量％包含Ag，以0.6～0.8质量％包含Cu，以0.01～0.2质量％包含Ni；并且，如果设Sb的含量为x质量％，设Bi的含量为y质量％，则以满足x+2y≤11质量％、x+14y≤42质量％及x≥5.1质量％的方式包含Sb和Bi；进而，以0.001～0.3质量％包含Co，以0.001～0.2质量％包含P；其余部分由Sn构成。其余部分由Sn构成。其余部分由Sn构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2020年7月31日在日本提出申请的日本专利申请第2020－129952号，通过参照整体引用基础申请的内容。


[0003]本说明书中的公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]专利文献1公开了以夹着半导体芯片的方式配置有散热部件的两面散热构造的半导体装置。现有技术文献的记载内容作为该说明书中的技术要素的说明而通过参照被引用。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2004－296837号公报

技术实现思路

[0008]近年来，SiC在与Si相比具备绝缘击穿电场及带隙大、导热率高、电子饱和速度快的特性的方面受到关注。但是，SiC的杨氏模量较大，是Si的约3倍。因此，在两面散热构造的半导体装置中，如果在半导体芯片中使用SiC衬底，则有可能在接合部件、半导体芯片中产生裂纹等。根据上述的观点或没有言及的其他观点，对于半导体装置要求进一步的改良。
[0009]本公开的一个目的在于，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片(30)，具有形成有元件的SiC衬底(31)、形成在上述SiC衬底的一面的第1主电极(32D)、以及形成在上述SiC衬底的背面的第2主电极(32S)，上述背面是在板厚方向上与上述一面相反的面；第1散热部件(40)及第2散热部件(50、60、86)，是以夹着上述半导体芯片的方式配置的散热部件(40、50、60、86)，上述第1散热部件(40)配置在上述一面侧，与上述第1主电极连接，上述第2散热部件(50、60、86)配置在上述背面侧，与上述第2主电极连接；以及接合部件(90、91、92)，分别介于上述第1主电极与上述第1散热部件之间以及上述第2主电极与上述第2散热部件之间，形成接合部；上述接合部件的至少一个是以下的合金组分的无铅焊料：以3.2～3.8质量％含有Ag，以0.6～0.8质量％含有Cu，以0.01～0.2质量％含有Ni；并且，如果设Sb的含量为x质量％，设Bi的含量为y质量％，则以满足x+2y≤11质量％、x+14y≤42质量％、以及x≥5.1质量％的方式含有Sb和Bi；进而，以0.001～0.3质量％含有Co，以0.001～0.2质量％含有P；其余部分由Sn构成。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，形成上述第1主电极与上述第1散热部件之间的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：山岸哲人，坂本善次，海津瞭一，稻叶祐树，吉川弘起，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：