接合材料以及使用其的安装结构体制造技术

接合材料包含：熔点为200℃以下的第1金属粒子、包含能够与第1金属粒子中所包含的第1金属元素生成金属间化合物的第2金属元素的第2金属粒子、TiO2纳米粒子、和助焊剂。第1金属粒子是如下的任意一个：仅为与第2金属元素生成金属间化合物的第1金属元素；或者是包含与第2金属元素生成金属间化合物的第1金属元素、和不与第2金属元素生成金属间化合物且金属元素单质的熔点为250℃以上的第3金属元素的复合体。第1金属粒子与第2金属粒子的比率是在第1金属元素与第2金属元素的平衡相图中第1金属粒子中所包含的第1金属元素与第2金属粒子中所包含的第2金属元素全部成为金属间化合物的比率。比率。比率。

【技术实现步骤摘要】
接合材料以及使用其的安装结构体


[0001]本专利技术涉及功率器件等设备中使用的用于将2个部件用金属材料接合的接合材料以及使用该接合材料接合的安装结构体。

技术介绍

[0002]在功率器件等伴随发热的设备中，以对产生热进行放热为目的，为了从搭载了元件的基板向放热部传热，有具有将基板与放热部的2个部件间接合的安装结构体的设备。
[0003]近年来，功率器件等设备中，以节能化为目的的大电流控制的要求提高。因此，具有能够以高效率控制电力的优点的SiC、GaN这样的下一代功率器件元件代替以往的Si元件不断增加。
[0004]这些下一代功率器件元件具有在高温下也能工作的优点，比以往的Si元件能够耐受大的发热，因此通过进行大电流的控制而发生来自于元件的发热量的上升、高温化。
[0005]其结果是，流过用元件控制的电流的引线框架等电极与元件电极之间的接合部温度Tj上升。例如，以往的Si约为125℃，而SiC、GaN上升到200～250℃。
[0006]因此，对于元件电极与引线框架电极之间的接合部，要求将产生的热向引线框架高效疏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接合材料，其包含：熔点为200℃以下的第1金属粒子、包含能够与所述第1金属粒子中所包含的第1金属元素生成金属间化合物的第2金属元素的第2金属粒子、TiO2纳米粒子、和助焊剂，所述第1金属粒子是如下的任意一个：仅为与所述第2金属元素生成金属间化合物的所述第1金属元素；或者是包含与所述第2金属元素生成金属间化合物的所述第1金属元素、和不与所述第2金属元素生成金属间化合物且金属元素单质的熔点为250℃以上的第3金属元素的复合体，所述第1金属粒子与所述第2金属粒子的比率是在所述第1金属元素与所述第2金属元素的平衡相图中所述第1金属粒子中所包含的所述第1金属元素与所述第2金属粒子中所包含的所述第2金属元素全部成为金属间化合物的比率。2.根据权利要求1所述的接合材料，其中，所述TiO2纳米粒子的中值粒径为20nm～80nm。3.根据权利要求1或2所述的接合材料，其中，所述TiO2纳米粒子的含有率在所述第1金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：日根清裕，古泽彰男，石谷伸治，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：