一种基于微同轴工艺的1-130GHz超宽带定向耦合器制造技术

本发明专利技术公开一种基于微同轴工艺的1

【技术实现步骤摘要】
一种基于微同轴工艺的1
‑
130GHz超宽带定向耦合器


[0001]本专利技术涉及无线通信、功率监视、测量系统、雷达
，尤其涉及一种基于微同轴工艺的1
‑
130GHz超宽带定向耦合器。

技术介绍

[0002]定向耦合器是一种具有方向性的功率耦合器件，是通信、雷达、测量系统中不可缺少的元件，随着通信行业的快速发展，要求射频设备朝着小型化的方向发展，作为微波领域重要的无源器件，超宽带、微型化的耦合器芯片的研发至关重要。
[0003]微同轴是由悬空的中心导体和将其包围的接地外导体组成。微同轴采用微细加工技术，采用增材制造的思路，通过将原材料逐层叠加方法加工而成。与传统的平面微带器件相比，基于微同轴工艺研制的毫米波器件具有宽频带、高隔离度、低损耗、高功率容量等特点，同时又保留了平面微带器件集成度高等优势。基于微同轴工艺的定向耦合器能够实现低损耗、微型化和宽频带等方面的性能需求，具有巨大的应用潜力。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种基于微同轴工艺的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于微同轴工艺的1
‑
130GHz超宽带定向耦合器，其特征在于，包括GSG探针端口和微同轴耦合线；GSG探针端口包括输入端口(1)、耦合端口(2)、隔离端口(3)和直通端口(4)，微同轴耦合线包括外导体(5)、内导体(6)和周期性介质支撑加载结构(7)，其中周期性介质支撑加载结构是具有光敏性质的有机材料周期性打孔的SU8，外导体(5)开设周期性工艺窗口，输入端口(1)、耦合端口(2)、隔离端口(3)和直通端口(4)均为同轴线结构，微同轴耦合线分别通过两端的Y形结分离耦合线进行模式转换实现耦合线
‑
同轴过渡，通过同轴结构实现阻抗匹配，并与GSG探针端口相连；内导体(6)为两根，且不相交，耦合端口(2)和隔离端口(3)连接同一根内导体(6)，输入端口(1)和直通端口(4)连接同一根内导体。2.根据权利要求1所述的基于微同轴工艺的1
‑
130GHz超宽带定向耦合器，其特征在于，微同轴耦合线为非对称多级阻抗阶梯耦合器。3.根据权利要求1所述的基于微同轴工艺的1
‑
130GHz超宽带定向耦合器，其特征在于，微同轴耦合线从输入端口(1)和耦合端口(2)至隔离端口(3)和直通端口(4)方向，其横截面逐渐增大。4.根据权利要求1所述的基于微同轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨倩，李秦龙，孟祥帅，孙婷婷，宋馥瑶，袁琦，郭明，刘子欣，王科晴，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：