一种功率合成放大器模块制造技术

技术编号:37306102 阅读:14 留言:0更新日期:2023-04-21 22:50
本发明专利技术公开了一种功率合成放大器模块。包括:顶盖、底座、至少两个天线板单卡组件、脉冲调制单元和连接单元;所述底座、所述天线板单卡组件和所述顶盖依次层叠组合形成波导主体,组合后所述波导主体的侧表面形成矩形波导口;所述脉冲调制单元设置在所述侧表面的相邻侧表面一侧,所述天线板单卡组件包括托盘、天线板和至少两路放大单元;所述天线板和所述放大单元均设置在所述托盘的第一凹槽内,所述放大单元设置在所述天线板靠近所述脉冲调制单元的一侧;所述脉冲调制单元通过连接单元与所述放大单元的控制端连接;本发明专利技术提供的技术方案,避免线路过长影响调制电压输入的准确度,有效降低了放大单元的有效沿的传输延迟。有效降低了放大单元的有效沿的传输延迟。有效降低了放大单元的有效沿的传输延迟。

【技术实现步骤摘要】
一种功率合成放大器模块


[0001]本专利技术实施例涉及射频微波功率放大器
,尤其涉及一种功率合成放大器模块。

技术介绍

[0002]在射频微波
,微波脉冲功率放大器是一个不可或缺的组成部分,近年来固态微波功率器件发展迅猛,逐渐替代了以往笨重、可靠性低,寿命短的行波管放大器,其中半导体固态微波器件具有体积小、重量轻和稳定性高等特点,然而固态微波功率器件的最大缺点是输出功率相对较低,为了获得大功率微波,往往需要采用功率合成的方式。
[0003]传统的基于波导的功率合成有源阵列,同时安装多路功放时,由于标准波导尺寸有限,功放散热存在一定问题,并且避免功放的供电电源进一步影响散热,将两者设置位置较远,但在电源调制过程由于两者的连接线路过长往往会影响调制精度。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种功率合成放大器模块,避免线路过长影响调制电压输入的准确度,有效降低了放大单元的有效沿的传输延迟。
[0005]本专利技术实施例提供一种功率合成放大器模块,包括:顶盖、底座、至少两个天线板单卡组件、脉冲调制单元和连接单元;
[0006]所述底座、所述天线板单卡组件和所述顶盖依次层叠组合形成波导主体,组合后所述波导主体的侧表面形成矩形波导口;
[0007]所述脉冲调制单元设置在所述侧表面的相邻侧表面一侧,所述天线板单卡组件包括托盘、天线板和至少两路放大单元;所述天线板和所述放大单元均设置在所述托盘的第一凹槽内,其中,所述天线板与所述放大单元连接,所述放大单元设置在所述天线板靠近所述脉冲调制单元的一侧;所述脉冲调制单元通过连接单元与所述放大单元的控制端连接;所述脉冲调制单元用于生成电源脉冲调制信号;所述天线板单卡组件用于根据所述脉冲调制信号将微波功率放大,并输出放大功率脉冲信号。
[0008]可选的,所述托盘包括第二凹槽,所述第二凹槽设置在所述天线板单卡组件的背部表面上;所述第二凹槽的垂直投影至少覆盖下一层所述托盘上的所述放大单元。
[0009]可选的,所述第二凹槽内填充吸波材料。
[0010]可选的,每一所述天线板单卡组件中的所述放大单元的控制端对应的所述连接单元在所述波导主体组合方向上一列排列。
[0011]可选的,所述放大单元为单片微波功率放大器,所述控制端包括漏极端和栅极端,其中,所述漏极端对应的所述连接单元和所述栅极端对应的所述连接单元在同一所述天线板单卡组件中一排排列;所述漏极端对应的所述连接单元在所述波导主体组合方向上一列排列,所述栅极端对应的所述连接单元在所述波导主体组合方向上一列排列。
[0012]可选的,所述的功率合成放大器模块,包括至少四个天线板单卡组件;
[0013]其中,与所述顶盖相邻的所述天线板单卡组件中设置的所述天线板的长度尺寸,和,与所述底座相邻的所述天线板单卡组件中设置所述天线板的长度尺寸相同;其余所述天线板单卡组件中设置所述天线板的尺寸相同,且小于与所述顶盖相邻的所述天线板单卡组件中设置的所述天线板的长度尺寸。
[0014]可选的,所述矩形波导口的横截面尺寸为22.86mm*10.16mm。
[0015]可选的,每一所述托盘的表面上设置有至少两个卡位销钉,每一所述托盘的相对表面上的相同位置设置有能够容纳所述卡位销钉的凹槽。
[0016]可选的,所述的功率合成放大器模块,还包括磁环,所述脉冲调制单元与所述连接单元之间设置所述磁环。
[0017]可选的,所述的功率合成放大器模块,还包括散热单元;
[0018]所述散热单元分别设置在所述底座一侧和所述顶盖一侧。
[0019]本专利技术实施例提供的技术方案,通过采用天线板阵列,可以实现阻抗匹配,可以相应的提高合成的效率,将脉冲调制单元设置在波导主体的两侧,将同一托盘上的两个放大单元在天线板两侧相对设置,并且靠近脉冲调制单元一侧,从而得到放大单元的控制端与脉冲调制单元的输出端短距离供电连接,从而避免线路过长影响调制电压输入的准确度,有效降低了放大单元的有效沿的传输延迟。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的结构示意图。
[0021]图2为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的爆炸结构示意图。
[0022]图3为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的部分结构示意图。
[0023]图4为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的部分结构的层级示意图。
[0024]图5本专利技术实施例本专利技术实施例提供的一种天线板单卡组件背部的结构示意图。
[0025]图6为本专利技术实施例提供一种脉冲调制单元的板图示意图。
[0026]图7本专利技术实施例提供的一种脉冲调制驱动的电路原理示意图。
[0027]图8为未加磁环的脉冲电压示意图。
[0028]图9为加磁环的脉冲电压示意图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0030]图1为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的结构示意图,图2为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的爆炸结构示意图,图3为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的部分结构示意图,图4为本专利技术实施例提供的一种功率合成放大器模块的部分结构的层级示意图,参见图1

4,功率合成放大器模块包括:顶盖7、底座5、至少两个天线板单卡组件6、脉冲调制单元2和连接单元11;
[0031]底座5、天线板单卡组件6和顶盖7依次层叠组合形成波导主体1,组合后波导主体1
的侧表面形成矩形波导口;
[0032]脉冲调制单元2设置在侧表面的相邻侧表面一侧,天线板单卡组件6包括托盘16、天线板14和至少两路放大单元;天线板14和放大单元均设置在托盘的第一凹槽内,其中,天线板14与放大单元13连接,放大单元13设置在天线板14靠近脉冲调制单元2的一侧;脉冲调制单元2通过连接单元11与放大单元13的控制端连接;脉冲调制单元2用于生成电源脉冲调制信号;天线板单卡组件6用于根据脉冲调制信号将微波功率放大,并输出放大功率脉冲信号。
[0033]具体的,根据矩形波导口尺寸,顶盖7和底座5之间可以层叠多个天线板单卡组件6,天线板单卡组件6由托盘16、天线板14和放大单元13组成。层叠的每个天线板单卡组件6的托盘16形状尺寸相同,托盘16用于承载天线板14和放大单元13,托盘16的正表面上设置有第一凹槽,可以容纳放置天线板14和放大单元13,每个托盘16的侧表面上的波导口,通过层叠组合后,形成的波导口尺寸应该和需要的矩形波导口尺寸相同。其中,一侧的矩形波导口作为射频输入端RF IN,另一侧的矩形波导口作为射频本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率合成放大器模块,其特征在于,包括:顶盖、底座、至少两个天线板单卡组件、脉冲调制单元和连接单元;所述底座、所述天线板单卡组件和所述顶盖依次层叠组合形成波导主体,组合后所述波导主体的侧表面形成矩形波导口;所述脉冲调制单元设置在所述侧表面的相邻侧表面一侧,所述天线板单卡组件包括托盘、天线板和至少两路放大单元;所述天线板和所述放大单元均设置在所述托盘的第一凹槽内,其中,所述天线板与所述放大单元连接,所述放大单元设置在所述天线板靠近所述脉冲调制单元的一侧;所述脉冲调制单元通过连接单元与所述放大单元的控制端连接;所述脉冲调制单元用于生成电源脉冲调制信号;所述天线板单卡组件用于根据所述脉冲调制信号将微波功率放大,并输出放大功率脉冲信号。2.根据权利要求1所述的功率合成放大器模块,其特征在于,所述托盘包括第二凹槽,所述第二凹槽设置在所述天线板单卡组件的背部表面上;所述第二凹槽的垂直投影至少覆盖下一层所述托盘上的所述放大单元。3.根据权利要求2所述的功率合成放大器模块,其特征在于,所述第二凹槽内填充吸波材料。4.根据权利要求1所述的功率合成放大器模块,其特征在于,每一所述天线板单卡组件中的所述放大单元的控制端对应的所述连接单元在所述波导主体组合方向上一列排列。5.根据权利要求4所述的功率合成放大器模块,其特征在于,所述放大单元为单片微波功率放大器,所述控制端包括漏极端和栅...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴孟
申请(专利权)人:广州安波通信科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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