【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体辅助处理设备的电压波形发生器
[0001]本专利技术涉及一种用于等离子体辅助处理设备的电压波形发生器,并且涉及一种生成用于在等离子体辅助处理中使用的电压波形的相关方法,特别是用于在与待处理的衬底接触的等离子体的鞘上产生电压偏置的电压波形。电压偏置有利地用于控制等离子体辅助蚀刻、等离子体辅助层沉积或反应离子蚀刻(REI)中的离子能量。
技术介绍
[0002]在等离子体辅助蚀刻和等离子体辅助层沉积中,射频(RF)发生器用于生成控制离子能量的偏置电压。为了改善过程控制,偏置电压的精确控制和所得到的离子能量分布(IED)是很重要的。生成这个偏置电压通常使用有限效率(宽带)线性放大器或使用有限灵活性(窄带)开关模式放大器或专用脉冲生成放大器来完成。通常,放大器仅间接地控制输出电压波形(例如,控制输出功率或依赖校准),因此导致有限的性能(所生成的波形不太接近期望的输出电压波形)、以及不太期望的离子能量分布和有限的复现性(晶片之间的变化和系统之间的变化)。
[0003]US 2018/0032100描述了一种用于等离子体辅助处理设备的波形发生器,其中各自具有其自己的浮置DC电源的多个桥臂以级联方式连接以在输出节点处获得切换电压波形。电压波形可以包括通过根据电流控制方法驱动半导体开关获得的电压斜率,使得输出电压与施加到半导体开关的驱动信号成比例。
[0004]US 9208992描述了一种等离子体辅助处理设备,其包括用于在待处理的衬底的暴露表面处形成周期性电压函数的开关模式电源。周期性电压函数实现所期望的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于等离子体辅助处理设备(100)的电压波形发生器(10),包括:公共节点(13),电压波形生成电路(11),所述电压波形生成电路可操作地连接到所述公共节点(13),并且被配置成在所述公共节点(13)处施加电压信号(v
CN
),以及电流源(16),所述电流源可操作地连接到所述公共节点(13),并且被配置成在所述公共节点(13)处施加DC电流(i
CS
),其中,所述电流源(16)包括:第一开关节点(161),所述第一开关节点通过第一电感器(L
CS
)连接到所述公共节点(13),以及第一电源(160),所述第一电源包括连接到所述第一开关节点(161)的至少两个第一电压节点(X,Y),其中,所述电流源(16)可操作用于在所述第一开关节点(161)处在所述至少两个第一电压节点之间切换。2.根据权利要求1所述的电压波形发生器,其中,所述至少两个第一电压节点(X,Y)通过第一有源开关(162)连接到所述第一开关节点(161),其中,所述电压波形发生器包括控制单元(17),所述控制单元被配置成控制所述第一有源开关(162)以在预定时段内最小化所述公共节点(13)处的所述电压信号(v
CN
)和所述第一开关节点(161)处的切换电压(v
CS
)之间的差。3.根据权利要求1或2所述的电压波形发生器,其中,所述电压波形生成电路(11)包括至少两个第二电压节点(A,G),其中,所述电压波形生成电路(11)被配置成在所述至少两个第二电压节点之间切换,其中,所述电压波形发生器包括控制单元(17),所述控制单元被配置成使所述电流源在所述至少两个第一电压节点(X,Y)之间的切换与所述电压波形生成电路(11)在所述至少两个第二电压电平(A,G)之间的切换同步。4.根据权利要求3所述的电压波形发生器,其中,所述控制单元(17)被配置成基于相同的时钟信号控制所述电流源(16)在所述至少两个第一电压节点之间的切换以及所述电压生成电路(11)在所述至少两个第二电压节点之间的切换。5.根据前述权利要求中任一项所述的电压波形发生器,其中,所述第一电源(160)被配置成在所述至少两个第一电压节点(X,Y)处提供至少两个第一可调电压电平。6.根据前述权利要求中任一项所述的电压波形发生器,其中,所述第一电源(160)包括在所述至少两个第一电压节点(X,Y)之间的DC总线中点(GND
CS
)。7.根据权利要求6所述的电压波形发生器,其中,所述至少两个第一电压节点(X,Y)是两个第一电压节点,所述第一电源(160)被配置为被操作使得所述两个第一电压节点(X,Y)提供相对于所述DC总线中点(GND
CS
)对称的电压电平。8.根据前述权利要求中任一项所述的电压波形发生器,其中,所述第一电源(160)包括包含所述至少两个第一电压节点(X,Y)的“雨声棒”DC/DC转换器。9.根据前述权利要求中任一项所述的电压波形发生器,其中,所述第一电源(160)...
【专利技术属性】
技术研发人员:J,
申请(专利权)人:浦卓科技创新服务有限公司,
类型:发明
国别省市:
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