晶圆抛光装置及系统、工艺和应用制造方法及图纸

本发明专利技术公开了晶圆抛光装置及系统、工艺和应用，晶圆抛光装置包括用于晶圆正面抛光的转盘，所述转盘的外壁上设置有衬垫，所述衬垫为环形结构，所述衬垫的外壁设置有与晶圆侧壁匹配的环形槽，所述环形槽能够接收来自于转盘上端面经过离心作用外溢的研磨剂。本发明专利技术所述晶圆抛光装置能够实现对晶圆端面进行抛光的同时对晶圆侧壁进行抛光，解决现有技术额外增加清除晶片侧壁颗粒杂质的CMP工艺导致成本增加，时间较长的问题。时间较长的问题。时间较长的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶圆抛光装置及系统、工艺和应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及晶圆抛光装置及系统、工艺和应用。

技术介绍

[0002]Chemical mechanical polishing（CMP）工艺是对晶片进行抛光的工艺，主要包括第一次抛光和第二次抛光，第一次抛光和第二次抛光分别对晶片的两个端面进行抛光。晶片经过CMP工艺处理后，在其侧壁仍然会残留颗粒杂质，残留的颗粒杂质会在photo工艺（光刻工艺）中诱发散焦，导致成品不良率增加，从而导致晶片的产量下降。
[0003]采用刷除方式无法完全清除颗粒杂质，现有技术中，为了解决上述问题，通常是在CMP工艺后增设一个专门用于清除晶片侧壁颗粒杂质的CMP工艺，会导致成本大大增加，且整个晶片的生产时间延长。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供晶圆抛光装置，该装置能够实现对晶圆正面进行抛光的同时对晶圆侧壁进行抛光，解决现有技术额外增加清除晶片侧壁颗粒杂质的CMP工艺导致成本增加，时间较长的问题。
[0005]此外，本专利技术还提供基于上述抛光装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶圆抛光装置，包括用于晶圆(4)正面抛光的转盘(1)，其特征在于，所述转盘(1)的外壁上设置有衬垫(2)，所述衬垫(2)为环形结构，所述衬垫(2)的外壁设置有与晶圆(4)侧壁匹配的环形槽(3)，所述环形槽(3)能够接收来自于转盘(1)上端面经过离心作用外溢的研磨剂。2.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述环形槽(3)靠近转盘(1)上端面的一侧侧壁设置有若干通孔，通过通孔向环形槽(3)内导入研磨剂。3.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述环形槽(3)的宽度自槽底部至槽顶部呈逐渐增大趋势。4.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述衬垫(2)采用软质材料制成。5.根据权利要求4所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述软质材料为塑料。6.根据权利要求5所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述软质材料为聚安酯。7.根据权利要求1
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6任一项所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述衬垫(2)可拆卸式设置在转盘(1)的外壁...

【专利技术属性】
技术研发人员：申埈燮，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：