一种化学机械抛光装置和抛光方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光装置和抛光方法，所述化学机械抛光装置包括抛光盘，其顶面设置有凹槽；承载头，用以接收并加载晶圆于抛光盘顶面的抛光垫；使得承载头可以旋转并沿抛光垫的径向移动，以控制晶圆与所述凹槽之间的水平距离，调节晶圆边缘部分的去除速率。调节晶圆边缘部分的去除速率。调节晶圆边缘部分的去除速率。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光装置和抛光方法


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
，具体而言，涉及一种化学机械抛光装置和抛光方法。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面，晶圆具有沉积层的一面抵压于抛光垫上表面，承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷；同时，抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间，使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
[0004]在进行化学抛光时，晶圆边缘部分的抛光速率大于晶圆中心部分的抛光速率，这会导致晶圆的抛光均匀性变差。尤其在一些晶圆制程中，晶圆的某些区域会出现局部减薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光装置，其特征在于，包括：抛光盘，其顶面设置有凹槽；承载头，用以接收并加载晶圆于抛光盘上侧的抛光垫；使得承载头可以旋转并在抛光垫表面移动，通过控制晶圆与所述凹槽之间的水平距离来调节晶圆边缘的去除速率。2.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述凹槽为环状结构，其与抛光盘同心设置，使得抛光垫在受压状态下回弹高度降低。3.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述凹槽的数量为一个，其靠近抛光盘的边缘或中心设置；或者，所述凹槽的数量为两个及以上，其靠近抛光盘的边缘和/或中心设置。4.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，还包括调节件，其设置于凹槽的内侧壁或外侧壁，所述调节件延伸至所述抛光盘顶面。5.如权利要求4所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述调节件为环状薄壁件，其厚度为2mm
‑
10mm。6.如权利要求4所述的化学机械抛光装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：