物理气相沉淀设备制造技术

本实用新型专利技术的实施例提供了一种物理气相沉淀设备，涉及气相沉淀技术领域。该物理气相沉淀设备包括加热腔体、加热腔盖和连接组件，加热腔盖可转动连接于加热腔体，以开启或盖合加热腔体，连接组件包括驱动杆、锁止杆和连接块，驱动杆和加热腔盖连接，驱动杆可转动地连接于连接块，其中，在加热腔盖开启或盖合加热腔体的情况下，加热腔盖带动驱动杆移动，以使连接块相对于加热腔体移动，锁止杆用于同时可拆卸地连接于连接块和加热腔体，以限制连接块和加热腔体的相对位置，在加热腔盖开启的情况下，该物理气相沉淀设备可以避免加热腔盖相对于加热腔体发生相对转动，进而防止加热腔盖突然下压盖合，保证人员安全，消除安全隐患。消除安全隐患。消除安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
物理气相沉淀设备


[0001]本技术涉及气相沉淀
，具体而言，涉及一种物理气相沉淀设备。

技术介绍

[0002]通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称：PVD)技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，其制备工艺中一般需要使用到物理气相沉淀设备，即PVD设备。
[0003]现有技术中，在PVD设备在开启或者需要进行维修的时候，PVD设备的腔盖需要开启，但由于腔盖容易在重力作用下，盖合下来，对人员安全造成影响，存在安全隐患。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种物理气相沉淀设备，其能够保证人员安全，消除安全隐患。
[0005]本技术的实施例可以这样实现：
[0006]本技术的实施例提供了一种物理气相沉淀设备，其包括：
[0007]加热腔体；
[0008]加热腔盖，所述加热腔盖可转动连接于所述加热腔体，以开启或盖合所述加热腔体；以及
[0009]连接组件，所述连接组件包括驱动杆、锁止杆和连接块，所述驱动杆和所述加热腔盖连接，所述驱动杆可转动地连接于所述连接块；
[0010]其中，在所述加热腔盖开启或盖合所述加热腔体的情况下，所述加热腔盖带动所述驱动杆移动，以使所述连接块相对于所述加热腔体移动，所述锁止杆用于同时可拆卸地连接于所述连接块和所述加热腔体，以限制所述连接块和所述加热腔体的相对位置。
[0011]可选地，所述连接组件还包括动力杆，所述动力杆安装于所述加热腔体，所述动力杆和所述连接块驱动连接，所述动力杆用于驱使所述连接块远离或靠近所述加热腔体。
[0012]可选地，所述驱动杆为L形杆体，所述驱动杆的一端和所述加热腔盖固定连接，所述驱动杆的另一端可转动地连接于所述连接块。
[0013]可选地，所述物理气相沉淀设备还包括阻挡块，所述阻挡块设置在所述加热腔体，所述阻挡块用于抵接所述驱动杆的另一端。
[0014]可选地，所述连接块上设有锁止孔，所述锁止杆用于同时贯穿所述加热腔体和所述锁止孔，以限制所述连接块和所述加热腔体的相对位置。
[0015]可选地，所述连接组件还包括关节轴承，所述关节轴承可转动地连接于所述连接块，且所述关节轴承和所述动力杆驱动连接。
[0016]可选地，所述锁止杆为插销。
[0017]可选地，所述物理气相沉淀设备还包括到位传感器，所述到位传感器设置在所述加热腔体，所述到位传感器用于获取所述锁止杆的位置信息。
[0018]可选地，所述动力杆为液压缸或者电缸或者气缸。
[0019]可选地，所述加热腔盖相对于所述加热腔体的开启角度大于90度。
[0020]本技术实施例的物理气相沉淀设备的有益效果包括，例如：
[0021]本技术的实施例提供了一种物理气相沉淀设备，其包括加热腔体、加热腔盖和连接组件，加热腔盖可转动连接于加热腔体，以开启或盖合加热腔体，连接组件包括驱动杆、锁止杆和连接块，驱动杆和加热腔盖连接，驱动杆可转动地连接于连接块，其中，在加热腔盖开启或盖合加热腔体的情况下，加热腔盖带动驱动杆移动，以使连接块相对于加热腔体移动，锁止杆用于同时可拆卸地连接于连接块和加热腔体，以限制连接块和加热腔体的相对位置，在加热腔盖开启的情况下，使锁止杆同时连接于连接块和加热腔体，限制连接块和加热腔体的相对位置，可以避免加热腔盖相对于加热腔体发生相对转动，进而防止加热腔盖突然下压盖合，保证人员安全，消除安全隐患。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0023]图1为本技术的实施例中提供的物理气相沉淀设备的简要示意图；
[0024]图2为本技术的实施例中提供的物理气相沉淀设备在开启状态的示意图；
[0025]图3为图2的局部示意图；
[0026]图4为本技术的实施例中提供的物理气相沉淀设备的示意图。
[0027]图标：1000
‑
物理气相沉淀设备；100
‑
加热腔体；200
‑
加热腔盖；300
‑
连接组件；310
‑
驱动杆；320
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锁止杆；330
‑
连接块；331
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锁止孔；340
‑
动力杆；350
‑
关节轴承；360
‑
阻挡块；400
‑
到位传感器。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实
用新型的限制。
[0032]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的特征可以相互结合。
[0034]正如
技术介绍
中所记载的，通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称：PVD)技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，其制备工艺中一般需要使用到物理气相沉淀设备，即PVD设备。
[0035]现有技术中，在PVD设备在开启或者需要进行维修的时候，PVD设备的腔盖需要开启，但由于腔盖容易在重力作用下，盖合下来，对人员安全造成影响，存在安全隐患。
[0036]有鉴于此，请参考图1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉淀设备，其特征在于，包括：加热腔体；加热腔盖，所述加热腔盖可转动连接于所述加热腔体，以开启或盖合所述加热腔体；以及连接组件，所述连接组件包括驱动杆、锁止杆和连接块，所述驱动杆和所述加热腔盖连接，所述驱动杆可转动地连接于所述连接块；其中，在所述加热腔盖开启或盖合所述加热腔体的情况下，所述加热腔盖带动所述驱动杆移动，以使所述连接块相对于所述加热腔体移动，所述锁止杆用于同时可拆卸地连接于所述连接块和所述加热腔体，以限制所述连接块和所述加热腔体的相对位置。2.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备，其特征在于，所述连接组件还包括动力杆，所述动力杆安装于所述加热腔体，所述动力杆和所述连接块驱动连接，所述动力杆用于驱使所述连接块远离或靠近所述加热腔体。3.根据权利要求1所述的物理气相沉淀设备，其特征在于，所述驱动杆为L形杆体，所述驱动杆的一端和所述加热腔盖固定连接，所述驱动杆的另一端可转动地连接于所述连接块。4.根据权利要求3所述的物理气相沉淀设备，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：