增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法技术

一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，该结构包括：发光单元、绝缘单元、两个第一导电单元及两个第二导电单元。发光单元具有发光本体、正极导电层、负极导电层、成形于正、负极导电层之间的反射绝缘层，发光本体具有底部材料层及顶部材料层。绝缘单元成形于底部材料层上表面的周围区域上及位于反射绝缘层的上方。其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上。上述至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。本发明专利技术通过绝缘单元的使用来避免氮化镓正电极层该氮化镓负电极层之间产生短路现象，进而能够增加发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤其涉及一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法。
技术介绍
请参阅图1所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述图中可知， 公知发光二极管封装结构包括一发光本体l，两个分别设置于该发光本体1上的正极导电 层P及负极导电层N、一设置于该正极导电层P及该负极导电层N之间的介电层R、一设置 于该发光本体1的底部的反射层2、及一用于包覆该发光本体1的透明封装胶体3。 再者，该发光二极管封装结构设置于一电路板PCB上，并且通过两条导电w以分别 将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板PCB。此外，该发光本体l产生的 一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体1所产生的另一部分光束L通过该 反射层2的反射以产生向上投射的效果。 此外，在正常的情况下，氮化镓正电极层GaN-P的电流会直接往下端跑(如向下的 箭头所示)，因此氮化镓正电极层GaN-P与氮化镓负电极层GaN-N的接触面上即可产生所需 的光束。然而，由于上述公知发光二极管封装结构的介电层R的厚度过于薄，因此造成该氮 化镓正电极层GaN-P的侧边容易与该氮化镓负电极层GaN-N之间产生短路的现象(如斜下 的箭头所示)，因而使得公知发光二极管封装结构无法产生发光效果。 因此，本专利技术人有感上述技术缺陷的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经 验，悉心观察且研究之，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述技术缺陷 的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，在于提供一种增加发光效率的晶片级发光二极管封 装结构及其制作方法，其通过该绝缘单元的使用，以增加该反射绝缘层的厚度，而使得该氮 化镓正电极层及该氮化镓负电极层之间不会像公知一样产生短路现象。 为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其包括一发光单元、一绝缘单元、至少两个第一导电单元及至少两个第二导电单元。其中，该发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本体具有一底部材料层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层。该绝缘单元成形于该底部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方。其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上。上述至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。 为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种增加发光效率的5晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤首先，提供一具有多个发光单元 的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成 形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘 层、及一成形于该发光本体内的发光区域，并且该发光本体具有一底部材料层及一成形在 该底部材料层上的顶部材料层；接着，移除该顶部材料层的周围部分，以露出该底部材料层 上表面的周围区域；然后，形成一绝缘层于所述多个发光单元上。 接下来，移除一部分的绝缘层，以形成一绝缘单元，其中该绝缘单元具有至少两个 分别露出部分的正极导电层及部分的负极导电层的第一开口，并且该绝缘单元成形于该底 部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方；然后，形成一第一导电层，以填 充上述至少两个第一开口并覆盖该绝缘单元；紧接着，形成一光致抗蚀剂材料于该第一导 电层上；接续，移除一部分的光致抗蚀剂材料，以形成至少两个分别位于该正极导电层及该 负极导电层上方的第二开口 ；然后，分别填充至少两个第二导电层于上述至少两个第二开 口内，以形成至少两个第二导电单元；最后，移除其余的光致抗蚀剂，并且移除位于其余光 致抗蚀剂下方的一部分第一导电层，以形成两个第一导电单元。因此，本专利技术的有益效果在于通过该绝缘单元的使用来避免该氮化镓正电极层及该氮化镓负电极层之间产生短路现象，进而使得本专利技术能够增加发光效率。 为了能更进一步了解本专利技术为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，相信本专利技术的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。 附图说明 图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图； 图2为本专利技术增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实 施例的流程图； 图2A至图2K分别为本专利技术增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方 法的第一实施例的制作流程示意图； 图2L为本专利技术第一实施例的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构通过锡 膏的方式电性连接于一电路板上； 图3为本专利技术增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实 施例的部分流程图； 图3A至图3C分别为本专利技术增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方 法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及 图3D为本专利技术第二实施例的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一 电路板上。 其中，附图标记说明如下 (公知) 1 发光本体 P 正极导电层 N 负极导电层R介电层2反射层3透明封装胶体w导电光束PCB电路板GaN-P 氮化镓正电极层GaN-N 氮化镓负电极层(第--实施例)W曰t±"la发光单元100a氧化铝基板101a氮化镓负电极层102a氮化镓正电极层Aa发光区域Pa正极导电层Pla正极导电区域Na负极导电层Nla负极导电区域11a反射绝缘层110a介电层Ilia反射层Dei底部材料层Dla周围区域Ua顶部材料层la'发光单元101a'' 氮化镓负电极层102a'' 氮化镓正电极层Aa'发光区域Pa'正极导电层Pla'正极导电区域Na'负极导电层Nla'负极导电区域Ua'顶部材料层2a绝缘层2a'绝缘单元3a第一导电层3a'第一导电单元Ra光致抗蚀剂材料Za 发光二极管封装结构 10a 发光本体10a'发光本体20a'第一开口Ra'光致抗蚀剂材料4a第二导电层5a荧光层5a'荧光层S高分子基板PCB电路板Bei锡球Ba'锡膏La光束W曰t±"lb发光单元Ab发光区域C凹槽5b荧光层5b'荧光层S高分子基板PCB电路板Bb锡球Bb'锡膏Lb光束Rla'第二开Zb 发光二极管封装结构具体实施例方式请参阅图2、及图2A至图2K所示，本专利技术第一实施例提供一种增加发光效率的晶 片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤 步骤S100为请配合图2及图2A所示，提供一具有多个发光单元la的的晶片 W(图式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元la)，其中每一个发光单元la具有一发 光本体10a、一成形于该发光本体10a上的正极导电层Pa(例如P型半导体材料层)、一成 形于该发光本体10a上的负极导电层Na(例如N型半导体材料层)、一成形于该正极导电 层Pa及该负极导电层Na之间的反射绝缘层lla、及一成形于该发光本体10a内的发光区域 Aa，并且该发光本体10a具有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本体具有一底部材料层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层；一绝缘单元，其成形于该底部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方；至少两个第一导电单元，其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上；以及至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，萧松益，陈政吉，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]