一种抗辐射的高压纵向三极管结构制造技术

本发明专利技术提供了一种抗辐射的高压纵向三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区第一导电类型阱区第二导电类型阱区第二导电类型埋层区第一导电类型衬底第一导电类型分段注入区、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极，基极金属电极、集电极金属电极；本发明专利技术通过在发射结基区一侧表面引入高掺杂P型区，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，从而阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，并且通过发射结基区一侧表面高掺杂P型注入采用z轴方向的分段结构，削弱三极管初始的共发射极电流放大系数的下降。极管初始的共发射极电流放大系数的下降。极管初始的共发射极电流放大系数的下降。

【技术实现步骤摘要】
一种抗辐射的高压纵向三极管结构


[0001]本专利技术属于半导体功率器件领域，具体涉及抗辐射的高压纵向三极管结构。
技术背景
[0002]随着功率半导体器件在航空航天的电子系统等的应用越来越广泛，针对电源管理系统和栅驱动电路，抗辐射加固技术成为各个公司和高校的研究重点。而高压三极管作为模块电路中的核心部位，在太空辐射环境下，三极管容易因总剂量辐射的影响而出现发射极与基极之间的表面电流增加现象，导致电流放大系数降低，使得整个电路无法正常工作，并且也要避免器件在加固技术过程中导致三极管初始电流放大系数的下降，因此需要研究抗总剂量辐射的高压三极管。

技术实现思路

[0003]为解决高压三极管因总剂量辐射而出现的发射极与基极表面电流增加的问题，抑制总剂量辐射对器件的影响。本专利技术提出了一种抗辐射的高压纵向三极管结构。在太空环境中，三极管受到总剂量效应的影响，会在器件表面氧化层中产生带正电的氧化物陷阱电荷，带正电的氧化物陷阱电荷会改变三极管基区表面的电子浓度上升，增加表面复合，从而使得发射极与基极之间的表面复合电流增加，三极管的电流放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗辐射的高压纵向三极管结构，其特征在于：包括位于底部的第一导电类型衬底(5)、位于第一导电类型衬底(5)上方的第二导电类型埋层区(4)、位于第二导电类型埋层区(4)上方的第二导电类型阱区(3)、位于第二导电类型埋层区(4)上方第二导电类型阱区(3)左侧的第一导电类型阱区(2)、位于第一导电类型阱区(2)内部左上方的第二导电类型发射区(1)、位于第一导电类型阱区(2)内部上方第二导电类型发射区(1)右侧的第一导电类型分段注入区(6)、位于第二导电类型发射区(1)和第一导电类型阱区(2)上方发射结上方的一个浅槽隔离氧化层(7)、位于第一导电类型阱区(2)和第二导电类型阱区(3)上方集电结上方的另一个浅槽隔离氧化层(7)、位于第二导电类型发射区(1)内部上方的第二导电类型发射极注入区(8)、位于第一导电类型阱区(2)内部上方第一导电类型分段注入区(6)右侧的第一导电类型基极注入区(9)、位于第二导电类型阱区(3)内部上方的第二导电类型集电极注入区(10)、位于第二导电类型发射极注入区(8)上方的发射极金属电极(11)、位于第一导电类型基极注入区(9)上方的基极金属电极(12)、位于第二导电类型集电极注入区(10)上方的集电极金属电极(13)；从器件发射极到集电极为x正方向，器件表面到底部为y...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锌，疏鹏，陈浪涛，乔明，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：