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本发明提供了一种抗辐射的高压纵向三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区第一导电类型阱区第二导电类型阱区第二导电类型埋层区第一导电类型衬底第一导电类型分段注入区、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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