加工方法技术

本发明专利技术提供加工方法，减少分割起点形成后的晶片的磨削量。加工方法对单晶硅晶片进行加工，该单晶硅晶片具有以晶面{100}所包含的特定的晶面分别露出的方式形成的第1面和第2面，在由呈格子状设定于第1面的多条分割预定线划分出的各区域中形成有器件，该加工方法具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着各分割预定线形成分割起点；分离层形成步骤，使聚光点和单晶硅晶片沿着与第2面的晶面平行且与晶体取向＜100＞之间形成的锐角的角度为5

【技术实现步骤摘要】
加工方法


[0001]本专利技术涉及对单晶硅晶片进行加工的加工方法，该单晶硅晶片具有以晶面{100}所包含的特定的晶面分别露出的方式形成的第1面和位于与第1面相反的一侧的第2面，在由呈格子状设定于第1面的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有器件。

技术介绍

[0002]为了制造半导体器件芯片，例如使用由单晶硅形成的晶片。具体而言，首先，在晶片的正面呈格子状设定多条分割预定线，在由多条分割预定线划分出的矩形状的各区域中形成IC(Integrated Circuit：集成电路)等器件。
[0003]接着，在通过沿着各分割预定线实施切削加工或激光加工而将对晶片进行分割时的分割起点形成于各分割预定线之后，对晶片的背面侧进行磨削，由此将晶片分割成多个器件芯片(例如，参照专利文献1和2)。
[0004]但是，在对背面侧进行磨削时，例如会通过磨削将磨削前的晶片的厚度的一半以上去除，因此磨削磨具的消耗量比较大，是不经济的。此外，由于在磨削时大量产生的磨削屑会弄脏磨削装置，因此需要频繁地清扫磨削装置。频繁的清扫还存在对于作业者来说麻烦的问题。
[0005]专利文献1：日本特开平11
‑
40520号公报
[0006]专利文献2：日本特开2006
‑
12902号公报

技术实现思路

[0007]本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，在将晶片分割成多个器件芯片时，减少分割起点形成后的晶片的磨削量。
[0008]根据本专利技术的一个方式，提供一种加工方法，对单晶硅晶片进行加工，该单晶硅晶片具有以晶面{100}所包含的特定的晶面分别露出的方式形成的第1面和位于与该第1面相反的一侧的第2面，在由呈格子状设定于该第1面的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有器件，其特征在于，该加工方法具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着各分割预定线至少在与器件芯片的完工厚度对应的深度形成用于对该单晶硅晶片进行分割的分割起点；分离层形成步骤，将具有透过该单晶硅晶片的波长的脉冲状的激光束的聚光点定位于该单晶硅晶片的内部，并且使该聚光点和该单晶硅晶片沿着与该第2面的晶面平行且与晶体取向＜100＞之间形成的锐角的角度为5
°
以下的第1方向相对地移动，从而沿着该第2面的晶面在与比该分割起点靠该第2面侧的位置对应的深度形成分离层；以及分离步骤，在该分割起点形成步骤和该分离层形成步骤之后，以该分离层为起点，将该单晶硅晶片分离为包含形成于该第1面侧的多个器件的第1面侧晶片和位于该第2面侧且不包含器件的第2面侧晶片，该分离层形成步骤具有如下的步骤：改质区域形成步骤，通过使该激光束的该聚光点和该单晶硅晶片沿着该第1方向相对地移动，形成改质区域；以及分度进给步骤，将该聚光点和该单晶硅晶片沿与该第2面的晶面平行且与该第1方向垂直的第2方向相对地进
行分度进给，该分离层包含该改质区域和以该改质区域为起点伸展的龟裂。
[0009]优选的是，加工方法还具有如下的磨削步骤：在该分离步骤之后，对该第1面侧晶片的位于与该第1面相反的一侧的第3面侧进行磨削，并且将该第1面侧晶片分割为多个器件芯片。
[0010]在本专利技术的一个方式的加工方法中，在分割起点形成步骤中，在与器件芯片的完工厚度对应的深度形成分割起点，并且在分离层形成步骤中，在与比分割起点靠第2面侧的位置对应的深度形成分离层。
[0011]进而，在分离步骤中，以分离层为起点，将单晶硅晶片分离为包含形成于第1面侧的多个器件的第1面侧晶片和位于第2面侧且不包含器件的第2面侧晶片。
[0012]如果对第1面侧晶片的分离层侧进行磨削，则能够将第1面侧晶片分割为多个器件芯片，因此与从单晶硅晶片的第2面对单晶硅晶片进行磨削而将单晶硅晶片分割为多个器件芯片的情况相比，能够减少单晶硅晶片的磨削量。
附图说明
[0013]图1是晶片的立体图。
[0014]图2是晶片的俯视图。
[0015]图3是加工方法的流程图。
[0016]图4是激光加工装置的立体图。
[0017]图5是激光束照射单元的示意图。
[0018]图6是示出分割起点形成步骤的立体图。
[0019]图7是示出分割起点形成步骤的局部剖面侧视图。
[0020]图8是示出分离层形成步骤的立体图。
[0021]图9是示出分离层形成步骤的局部剖面侧视图。
[0022]图10是示出分离层形成步骤中的改质区域形成步骤的图。
[0023]图11是示出在第1次和第2次改质区域形成步骤中形成的分离层的晶片的一部分的剖视图。
[0024]图12是示出在分离步骤中对晶片施加外力的情形的图。
[0025]图13是示出龟裂彼此相连的状态的分离层的晶片的一部分的剖视图。
[0026]图14的(A)是示出分离步骤的局部剖面侧视图，图14的(B)是示出分离步骤后的正面侧晶片和背面侧晶片的局部剖面侧视图。
[0027]图15是示出磨削步骤的图。
[0028]图16是示出多个器件芯片的立体图。
[0029]图17是示出在分别向沿着不同的晶体取向的直线状的区域照射激光束时，形成在晶片的内部的分离层的宽度的曲线图。
[0030]图18是示出对正面侧进行切削加工的情形的局部剖面侧视图。
[0031]图19的(A)是第2实施方式的加工方法的流程图，图19的(B)是第3实施方式的加工方法的流程图。
[0032]图20是示出对正面侧实施烧蚀加工的情形的局部剖面侧视图。
[0033]图21的(A)是第4实施方式的加工方法的流程图，图21的(B)是第5实施方式的加工
方法的流程图。
[0034]标号说明
[0035]2：激光加工装置；4：基台；6：X轴Y轴移动机构；8：Y轴导轨；10：Y轴移动板；12：丝杠轴；14：电动机；16：X轴导轨；11：晶片(单晶硅晶片)；11a：正面(第1面)；11b：背面(第2面)；11c：完工厚度；11d：深度；11e：切削槽；11f：加工槽；13：凹口；15：分割预定线；17：器件；19a：保护带；19b：框架；21：晶片单元；18：X轴移动板；20：丝杠轴；22：电动机；24：工作台基台；23：分割起点；23a：改质区域；23b：龟裂；25、25
‑
1、25
‑
2：分离层；25a：改质区域；25b：龟裂；25c1、25c2：线；26：卡盘工作台；26a：保持面；26b：夹具单元；30：支承构造；32：Z轴移动机构；34：Z轴导轨；31：正面侧晶片(第1面侧晶片)；31a：分离面(第3面)；33：背面侧晶片(第2面侧晶片)；35：器件芯片；36：Z轴移动板；38：电动机；40：支承件；41：晶片单元；42：激光束照射单元；44：激光振荡器；46：衰减器；48：分支单元；50：反射镜；52：照射头；54：壳体；56：拍摄单元；58：触摸面板；60：分离装置；62：卡盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加工方法，对单晶硅晶片进行加工，该单晶硅晶片具有以晶面{100}所包含的特定的晶面分别露出的方式形成的第1面和位于与该第1面相反的一侧的第2面，在由呈格子状设定于该第1面的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有器件，其特征在于，该加工方法具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着各分割预定线至少在与器件芯片的完工厚度对应的深度形成用于对该单晶硅晶片进行分割的分割起点；分离层形成步骤，将具有透过该单晶硅晶片的波长的脉冲状的激光束的聚光点定位于该单晶硅晶片的内部，并且使该聚光点和该单晶硅晶片沿着与该第2面的晶面平行且与晶体取向＜100＞之间形成的锐角的角度为5
°
以下的第1方向相对地移动，从而沿着该第2面的晶面在与比该分割起点靠该第2面侧的位置对应的深度形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊贺勇人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：