本发明专利技术提供一种摄像装置，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物(11)的改性区域(12)和/或从所述改性区域延伸的裂纹(14)，其包括：利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元(4)；和控制所述第1摄像单元的第1控制部，所述第1控制部，在切换沿着第1线(15a)形成所述改性区域与沿着交叉于所述第1线的第2线(15b)形成所述改性区域的时机，执行控制所述第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸的所述裂纹的区域。延伸的所述裂纹的区域。延伸的所述裂纹的区域。
【技术实现步骤摘要】
摄像装置、激光加工装置和摄像方法
[0001]本申请是申请日为2019年10月2日、申请号为201980065074.4、专利技术名称为摄像装置、激光加工装置和摄像方法的专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及摄像装置、激光加工装置和摄像方法。
技术介绍
[0003]已知有一种激光加工装置，其为了将包括半导体衬底和形成于半导体衬底的正面上的功能元件层的晶片分别沿着多条线切断，而从半导体衬底的背面侧对晶片照射激光，来分别沿着多条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域。专利文献1所记载的激光加工装置包括红外线摄像机，能够从半导体衬底的背面侧观察形成于半导体衬底的内部的改性区域和形成于功能元件层的加工损伤等。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2017
‑
64746号公报。
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的课题
[0008]如上述专利文献1中记载的激光加工装置所述，有以非破坏的方式确认形成于晶片的内部的改性区域等的需求。对此，在专利文献1所记载的激光加工装置中，红外线摄像机所拍摄的晶片的摄像位置，在相对于加工光学系统对晶片进行加工的加工位置为晶片移动方向的下游侧配置在一直条线上。
[0009]因此，红外线摄像机在与加工光学系统对晶片进行加工的加工位置相同的切断预定线上拍摄晶片，由此能够实时确认、测定形成于晶片内部的改性区域的形成位置和加工损伤等。然而，使用红外线摄像机等确认、测定改性区域等须要花费一定的时间。因此，若如专利文献1所记载的激光加工装置那样，要同时形成改性区域和确认改性区域等，则会对形成改性区域的速度造成限制，有可能使加工效率降低。
[0010]因此，本专利技术的一个侧面的目的是提供一种能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认的摄像装置、激光加工装置和摄像方法。
[0011]用于解决课题的技术方案
[0012]本专利技术的一个方式为一种摄像装置，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从改性区域延伸的裂纹，摄像装置的特征在于，包括：利用透射对象物的光来拍摄对象物的第1摄像单元；和控制第1摄像单元的第1控制部，第1控制部，在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机，执行控制第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着第1线形成的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域。
[0013]在该装置中，第1控制部通过控制第1摄像单元来执行第1摄像处理，来利用透射对象物的光来拍摄对象物的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域。因此，不需破坏对象物就能够取得改性区域等(改性区域和/或从改性区域延伸的裂纹(以下相同))的图像，并能够进行确认。特别是，在该装置中，第1控制部在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机，执行上述摄像处理。因此，不会对形成改性区域的速度造成影响，就能够确认改性区域等。即，依据该装置，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。
[0014]本专利技术的一个方式的激光加工装置包括：上述摄像装置；用于对对象物照射激光的激光照射单元；和驱动单元，其安装激光照射单元，在与对象物上的激光的入射面交叉的方向上驱动激光照射单元，第1摄像单元与激光照射单元均安装于驱动单元。
[0015]该装置具有上述摄像装置。因此，依据该装置，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。并且，该装置具有使激光照射单元在交叉于对象物的激光的入射面的方向(入射方向)上驱动的驱动单元。并且，第1摄像单元与激光照射单元均安装于该驱动单元。因此，在通过照射激光形成改性区域以及摄像处理中，能够轻易共享入射方向的位置信息。
[0016]本专利技术的一个方式的激光加工装置包括：利用透射对象物的光来拍摄对象物的第2摄像单元；和控制激光照射单元和第2摄像单元的第2控制部，第1摄像单元具有使从对象物透射了的光透射的第1透镜和检测从第1透镜透射的该光的第1光检测部，第2摄像单元具有使从对象物透射了的光透射的第2透镜和检测从第2透镜透射的该光的第2光检测部，第2控制部，基于第2光检测部的检测结果来执行控制激光照射单元和第2摄像单元的对准处理，来进行激光的照射位置的对准。这样，除了用于拍摄改性区域等的第1摄像单元以外，另外使用用于对准激光的照射位置的第2摄像单元，由此能够使用各自合适的光学系统。
[0017]本专利技术的一个方式的激光加工装置中，第1透镜的数值孔径大于第2透镜的数值孔径。此时，能够通过相对小的数值孔径下的观察更为可靠地进行对准，并且能够通过相对大的数值孔径拍摄改性区域等。
[0018]本专利技术的一个方式的摄像方法，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从改性区域延伸的裂纹，其包括摄像步骤，在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机，通过透射对象物的光来拍摄沿着第1线形成的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域。
[0019]在该方法中，将对象物的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域，通过透射对象物的光进行摄像。因此，不需破坏对象物就能够取得改性区域等的图像，并能够进行确认。特别是，在该方法中，在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机进行上述摄像。因此，不会对形成改性区域的速度造成影响，就能够确认改性区域等。即，依据该方法，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。
[0020]专利技术效果
[0021]依据本专利技术的一个侧面，提供一种能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认的摄像装置、激光加工装置和摄像方法。
附图说明
[0022]图1是包括一个实施方式的检查装置的激光加工装置的构成图。
[0023]图2是一个实施方式的晶片的平面图。
[0024]图3是图2所示的晶片的一部分的剖面图。
[0025]图4是图1所示的激光照射单元的构成图。
[0026]图5是图1所示的检查用摄像单元的构成图。
[0027]图6是图1所示的对准校正用摄像单元的构成图。
[0028]图7是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的晶片的剖面图，以及该检查用摄像单元所获得的各部位处的图像。
[0029]图8是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的晶片的剖面图，以及该检查用摄像单元所获得的各部位处的图像。
[0030]图9是形成于半导体衬底的内部的改性区域和裂纹的SEM图像。
[0031]图10是形成于半导体衬底的内部的改性区域和裂纹的SEM图像。
[0032]图11是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的光路图，以及表示该检查用摄像单元的焦点处的图像的示意图。
[0033]图12是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的光路图，以及表示该检查用摄像单元的焦点处的图像的示意图。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种摄像装置，用于拍摄从通过照射激光而形成于对象物的改性区域延伸的裂纹，所述摄像装置的特征在于，包括：包含物镜且利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元；和控制所述第1摄像单元的第1控制部，所述第1控制部执行以通过沿着与所述对象物的所述激光的入射面交叉的Z方向使所述第1摄像单元移动而使所述物镜的焦点沿着Z方向移动，并拍摄包含从所述改性区域延伸的所述裂纹的区域的方式，控制所述第1摄像单元的摄像处理，在所述摄像处理中，通过使所述焦点从所述入射面侧对焦到从所述改性区域向所述入射面侧延伸的所述裂纹的前端、或使所述焦点从与所述入射面相反的相反面侧对焦到从所述改性区域向所述相反面侧延伸的所述裂纹的前端，从而获得显示出所述裂纹的前端的图像。2.一种摄像装置，用于拍摄从通过照射激光而形成于对象物的改性区域延伸的裂纹，所述摄像装置的特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂本刚志，铃木康孝，佐野育，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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