一种封装方法及封装结构技术

本公开实施例提供一种封装方法及封装结构，所述方法包括：分别提供晶圆和载板；自所述晶圆沿其厚度方向的第一表面的边缘向第二表面进行切割，形成未贯穿所述晶圆的侧切割壁；其中，所述侧切割壁朝向所述第一表面的第一端的厚度大于其背离所述第一表面的第二端的厚度；在所述晶圆的第一表面上形成粘合胶层，通过所述粘合胶层将所述晶圆的第一表面固定于所述载板；对所述晶圆的第二表面进行减薄。本公开实施例的封装方法，改变所述晶圆边缘形状，形成厚度有变化的侧切割壁，使得涂布粘合胶在侧切割壁的第一端不易积累，粘合胶厚较小，减薄晶圆过程中易断裂，不连带抽离内部粘合胶，改善晶圆崩边裂片异常。改善晶圆崩边裂片异常。改善晶圆崩边裂片异常。

【技术实现步骤摘要】
一种封装方法及封装结构


[0001]本公开实施例属于半导体制造
，具体涉及一种封装方法及封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，晶圆制程中对缩小尺寸的需求高涨，使得晶圆的厚度越来越薄。现在已经具备将晶圆减薄至较薄尺寸的工艺，但较薄的晶圆稳定性较差，减薄工艺和金属化工艺会给减薄后的晶圆施加额外应力，从而导致减薄后的晶圆翘曲或断裂。
[0003]为了解决上述问题，相关现有技术提出了改进的晶圆减薄工艺：在对晶圆进行减薄前先将晶圆临时键合到承载晶圆上，从而避免减薄工艺或金属化工艺等对晶圆造成影响。
[0004]但是，本公开的专利技术人发现，上述晶圆减薄工艺中，在对晶圆进行物理减薄过程中，涂布临时键合胶的过程中尖点胶厚积累，临时键合后胶厚位置较大，导致Si物理减薄过程中边缘胶分离及容易连带抽离内部键合胶，从而导致该区域在后续再次受力过程中缺胶无法支撑而导致崩边裂片。

技术实现思路

[0005]本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种封装方法及封装结构。
>[0006]本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：分别提供晶圆和载板；自所述晶圆沿其厚度方向的第一表面的边缘向第二表面进行切割，形成未贯穿所述晶圆的侧切割壁；其中，所述侧切割壁朝向所述第一表面的第一端的厚度大于其背离所述第一表面的第二端的厚度；在所述晶圆的第一表面上形成粘合胶层，通过所述粘合胶层将所述晶圆的第一表面固定于所述载板；对所述晶圆的第二表面进行减薄。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧切割壁的厚度自其第一端向第二端依次减小。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述侧切割壁与所述晶圆的第一表面夹角范围为35
°
～55
°
。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述侧切割壁与所述晶圆的第一表面的夹角为45
°
。5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述自所述晶圆沿其厚度方向的第一表面的边缘向第二表面进行切割，形成未贯穿所述晶圆的侧切割壁，包括：控制晶圆和切割刀片分别以各自预定的转速自转；控制所述切割刀片向所述晶圆内侧倾斜，并自所述晶圆的外侧向内侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：范俊，马力，顾炜康，郑子企，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：