一种超薄芯片等离子切割工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种超薄芯片等离子切割工艺，涉及芯片切割技术领域；包括如下步骤：将晶圆进行光刻，涂胶、曝光、显影；保留电路区域的光阻，去除切割上方的光阻；涂覆临时键合胶，胶体充分填充切割道空隙；粘贴背面研磨胶带；对晶圆进行减薄处理，并将减薄后的晶圆贴附到带有切割膜的铁圈上；激光解胶，将临时键合胶去除粘性，去除背面研磨胶带后进行清洗，清洗干净切割道缝隙里面的胶体；将减薄的晶圆去除切割道区域的硅层和光阻，达到DIE与DIE切割分离的效果。通过增加临时键合工艺，利用临时键合胶填充切割道缝隙，保证研磨胶带贴附在一个平面上不会形成凹陷区域，保证后续的研磨减薄可以将晶圆减薄到极限厚度，减少晶圆破裂的风险。险。险。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄芯片等离子切割工艺


[0001]本专利技术涉及芯片切割
，尤其涉及一种超薄芯片等离子切割工艺。

技术介绍

[0002]集成电路芯片尺寸不断减少，芯片尺寸越来越小，过小的尺寸在晶圆封装过程中无法使用常规的刀片、激光进行切割分离，需要使用气体等离子切割模式对晶圆进行切割分离。
[0003]常用的工艺流程是在晶圆(图1
‑
图3)正面涂光刻胶进行光刻，通过曝光、显影，将切割道区域暴露出来，然后通过气体蚀刻将切割道区域的硅层蚀刻去除，再对光阻进行清洗去除，实现晶圆的DIE分离。
[0004]现有工艺的缺陷：由于背部研磨胶带是贴附在光阻之上，在切割区域存在凹陷的问题，将晶圆减薄的时候外界需要施加相当大的外力去除硅层，凹陷区域由于不平整会形成较大的应力，对于晶圆减薄程度较大时，此时研磨胶带的凹陷区域由于不平整会形成较大的应力，极易导致研磨后的超薄晶圆破裂。
[0005]为此，本专利技术提出一种超薄芯片等离子切割工艺

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种超薄芯片等离子切割工艺。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0008]一种超薄芯片等离子切割工艺，包括如下步骤：
[0009]S1：将晶圆进行光刻，涂胶、曝光、显影；保留电路区域的光阻，去除切割道上方的光阻；
[0010]S2：涂覆临时键合胶，胶体充分填充切割道空隙；
[0011]S3：粘贴背面研磨胶带；
[0012]S4：对晶圆进行减薄处理，并将减薄后的晶圆贴附到带有切割膜的铁圈上；
[0013]S5：激光解胶，将临时键合胶去除粘性，去除背面研磨胶带后进行清洗，清洗干净切割道缝隙里面的胶体；
[0014]S6：将减薄的晶圆去除切割道区域的硅层和光阻，达到DIE与DIE切割分离的效果。
[0015]优选地：所述S1中，光阻厚度为10
‑
30μm。
[0016]优选地：所述S2中，胶体厚度为10
‑
30μm。
[0017]优选地：所述S2中，涂覆临时键合胶利用高速旋转的涂覆方式。
[0018]优选地：所述S3中，减薄时，减薄厚度至30
‑
50μm。
[0019]优选地：所述S5中，键合胶的粘性去除方式采用激光光解。
[0020]优选地：所述S5中，清洗时要保证光阻保留在晶圆上。
[0021]优选地：所述S6中，硅层的去除方法采用等离子干法蚀刻。
[0022]优选地：所述S6中，光阻的去除方法采用湿法去除。
[0023]本专利技术的有益效果为：
[0024]1.本专利技术通过增加临时键合工艺，利用临时键合胶填充切割道缝隙，保证研磨胶带贴附在一个平面上不会形成凹陷区域，保证后续的研磨减薄可以将晶圆减薄到极限厚度，减少晶圆破裂的风险。
附图说明
[0025]图1
‑
3为现有工艺流程示意图；
[0026]图4为本专利技术提出的一种超薄芯片等离子切割工艺中的步骤S1结构示意图；
[0027]图5为本专利技术提出的一种超薄芯片等离子切割工艺中的步骤S2结构示意图；
[0028]图6为本专利技术提出的一种超薄芯片等离子切割工艺中的步骤S3结构示意图；
[0029]图7为本专利技术提出的一种超薄芯片等离子切割工艺中的步骤S4结构示意图；
[0030]图8为本专利技术提出的一种超薄芯片等离子切割工艺中的步骤S5结构示意图；
[0031]图9为本专利技术提出的一种超薄芯片等离子切割工艺中的步骤S6结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0033]在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
[0034]实施例1：
[0035]一种超薄芯片等离子切割工艺，如图1
‑
8所示，包括如下步骤：
[0036]S1：将晶圆进行光刻，涂胶、曝光、显影；保留电路区域的光阻，去除切割道上方的光阻；
[0037]S2：涂覆临时键合胶，胶体充分填充切割道空隙；
[0038]S3：粘贴背面研磨胶带；
[0039]S4：对晶圆进行减薄处理，并将减薄后的晶圆贴附到带有切割膜的铁圈上；
[0040]S5：激光解胶，将临时键合胶去除粘性，去除背面研磨胶带后进行清洗，清洗干净切割道缝隙里面的胶体；
[0041]S6：将减薄的晶圆去除切割道区域的硅层和光阻，达到DIE与DIE切割分离的效果。
[0042]实施例2：
[0043]一种超薄芯片等离子切割工艺，如图1
‑
8所示，本实施例对实施例1进行改进：所述S1中，光阻厚度为10
‑
30μm。
[0044]所述S2中，胶体厚度为10
‑
30μm。
[0045]所述S2中，涂覆临时键合胶利用高速旋转的涂覆方式。
[0046]所述S3中，减薄时，减薄厚度至30
‑
50μm。
[0047]所述S5中，键合胶的粘性去除方式采用激光光解。
[0048]所述S5中，清洗时要保证光阻保留在晶圆上。
[0049]所述S6中，硅层的去除方法采用等离子干法蚀刻。
[0050]所述S6中，光阻的去除方法采用湿法去除。
[0051]本专利技术：通过增加临时键合工艺，利用临时键合胶填充切割道缝隙，保证研磨胶带贴附在一个平面上不会形成凹陷区域，保证后续的研磨减薄可以将晶圆减薄到极限厚度(30um～50um)，减少晶圆破裂的风险。
[0052]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄芯片等离子切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：将晶圆进行光刻，涂胶、曝光、显影；保留电路区域的光阻，去除切割道上方的光阻；S2：涂覆临时键合胶，胶体充分填充切割道空隙；S3：粘贴背面研磨胶带；S4：对晶圆进行减薄处理，并将减薄后的晶圆贴附到带有切割膜的铁圈上；S5：激光解胶，将临时键合胶去除粘性，去除背面研磨胶带后进行清洗，清洗干净切割道缝隙里面的胶体；S6：将减薄的晶圆去除切割道区域的硅层和光阻，达到DIE与DIE切割分离的效果。2.根据权利要求1所述的一种超薄芯片等离子切割工艺，其特征在于，所述S1中，光阻厚度为10
‑
30μm。3.根据权利要求1所述的一种超薄芯片等离子切割工艺，其特征在于，所述S2中，胶体厚度为10
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张力，谢芳梅，何洪文，
申请(专利权)人：合肥沛顿存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：