一种3DNAND晶圆切割工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种3D NAND晶圆切割工艺，涉及晶圆切割技术领域；包括如下步骤：取待加工的晶圆，晶圆背面为硅衬底，晶圆正面为电路层；晶圆正面设置有若干切割道用于晶粒分离；将玻璃载板1粘贴在晶圆正面的电路层上；对晶圆硅衬底进行减薄处理；在玻璃载板2上面事先承压一层粘接膜，将硅衬底压合到粘接膜上面；去除玻璃载板1；使用光刻工艺在晶圆表面涂光阻、曝光、显影。本发明专利技术针对工艺流程进行创新，使用湿法和干法蚀刻技术来实现超厚表面电路层的晶圆切割；由于有载板做支撑，理论上可以将晶圆厚度减薄到极限，例如硅衬底厚度降低到10um；比现有常规晶圆研磨减薄工艺最小30um极限厚度要更薄。限厚度要更薄。限厚度要更薄。

【技术实现步骤摘要】
一种3D NAND晶圆切割工艺


[0001]本专利技术涉及晶圆切割
，尤其涉及一种3D NAND晶圆切割工艺。

技术介绍

[0002]针对3D NAND的堆叠越来越多，电路层越来越厚。现有的3D NAND一般在128层，表面金属层厚度达到了10～15um，目前还可以采用激光开槽切割或者激光背面隐形切割模式进行生产。而未来堆叠层数将会越来越多，300层甚至400层的时候，电路层厚度预计达到15～30um，现有几种方案均无法适用，需要寻找一种适合切割较厚电路层的方法；
[0003]现有的晶圆切割技术方案通常为以下方案：
[0004]1.刀片切割。目前常见的是使用金刚石锯片(砂轮)划片，通过物理切割方式，将晶圆分离成一颗颗独立的晶粒。
[0005]2.激光切割。通常分为激光正面开槽切割、正面穿透切割、背面隐形切割三种模式。
[0006]2.1激光正面开槽切割，在晶圆切割道上面切割出深度约为晶圆厚度的1/4～1/5凹槽，然后再通过刀片切割分离得到晶粒,该方案应用最为广泛。
[0007]2.3激光正面穿透切割本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种3D NAND晶圆切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：取待加工的晶圆，晶圆背面为硅衬底，晶圆正面为电路层；晶圆正面设置有若干切割道用于晶粒分离；S2：将玻璃载板1粘贴在晶圆正面的电路层上；S3：对晶圆硅衬底进行减薄处理；S4：在玻璃载板2上面事先承压一层粘接膜，将硅衬底压合到粘接膜上面；S5：去除玻璃载板1；S6：使用光刻工艺在晶圆表面涂光阻、曝光、显影；S7：然后通过湿法蚀刻去除切割道的金属层，露出硅衬底；S8：通过干法蚀刻，去除切割道区域的硅衬底；S9：通过选用合适宽度的刀片，通过刀片将粘接膜分离。2.根据权利要求1所述的一种3D NAND晶圆切割工艺，其特征在于，所述S1步骤中，晶圆背面的硅衬底厚度为700
‑
800um，晶圆正面的电路层厚度为2
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30um。3.根据权利要求1所述的一种3D NAND晶圆切割工艺，其特征在于，所述S3步骤中，减薄处理的方式为通过机械研磨对其进行粗磨和细磨，将硅衬底磨到指定厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：张力，李子悦，何洪文，
申请(专利权)人：合肥沛顿存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：