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一种3DNAND晶圆切割工艺制造技术
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文档序号:37290363
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本发明公开了一种3D NAND晶圆切割工艺,涉及晶圆切割技术领域;包括如下步骤:取待加工的晶圆,晶圆背面为硅衬底,晶圆正面为电路层;晶圆正面设置有若干切割道用于晶粒分离;将玻璃载板1粘贴在晶圆正面的电路层上;对晶圆硅衬底进行减薄处理;在玻璃...
该专利属于合肥沛顿存储科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥沛顿存储科技有限公司授权不得商用。
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