晶片清洗水供给装置制造方法及图纸

本发明专利技术的晶片清洗水供给装置(1)具有：由从供给路(5)供给的超纯水(W)制备晶片清洗水(W1)的晶片清洗水制造部(2)；该制备的晶片清洗水的贮留槽(3)；以及将贮留在该贮留槽(3)中的晶片清洗水(W1)向清洗机(4)的清洗喷嘴(4A)供给的晶片清洗水供给配管(6)。该晶片清洗水供给配管(6)在清洗机(4)侧距清洗喷嘴(4A)的前端距离(t)处分支，与回送配管(7)连接，能将清洗机(4)中剩余的晶片清洗水(W1)回送至贮留槽(3)。这样的晶片清洗水供给装置能削减剩余的晶片清洗水。的晶片清洗水。的晶片清洗水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片清洗水供给装置


[0001]本专利技术涉及一种晶片清洗水供给装置，其能够稳定供给半导体用晶片等的清洗/冲洗工序中有效的以极低浓度含有碱、酸、氧化剂、还原剂等溶质的清洗水。

技术介绍

[0002]在半导体用硅晶片等的清洗工序中，可以使用将对pH或氧化还原电位的控制有效的溶质以极低浓度溶解在超纯水中的水(以下，称作晶片清洗水)。该晶片清洗水以超纯水为基本材料，为了赋予符合清洗或冲洗工序等各个工序的目的的pH或氧化还原电位等液体特性，添加需要的最小限度的酸/碱、氧化剂/还原剂。此时，为了赋予还原性活用H2气体的溶解，但在pH调节和赋予氧化性中，通常活用将药液通过泵注入或用非活性气体的加压方式，来微量添加(注药)液体药剂的方法。
[0003]在这种情况下，当超纯水的流量为恒定时，注药容易达到所期望的溶质浓度，但在实际使用晶片清洗水的清洗机中，用多个阀的开闭来控制向晶片倾注的清洗水的供给/停止，流量不规律地变动。对于该变动，通过对超纯水流量的比例控制、接受浓度监测器的信号的PID控制等多种手法进行溶解控制，以使晶片清洗水的溶质浓度落入所期望范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶片清洗水供给装置，其中，所述晶片清洗水供给装置具备：晶片清洗水制造部，该晶片清洗水制造部通过溶解相对于超纯水的流量为规定量的药剂，来制造规定的药剂浓度的晶片清洗水；贮留槽，该贮留槽贮留该制造出的晶片清洗水；晶片清洗水供给配管，该晶片清洗水供给配管向清洗机供给所述晶片清洗水；以及回送配管，该回送配管从所述晶片清洗水供给配管分支并将清洗机中剩余的晶片清洗水回送至贮留槽，并且，将所述剩余的晶片清洗水回送至贮留槽的回送配管，在距离所述清洗机的晶片清洗水的喷出部10m以下的位置分支。2.如权利要求1所述的晶片清洗水供给装置，其中，所述回送配管设置于清洗机侧，能在贮留槽、晶片清洗水供给配管和回送配管中循环所述晶片清洗水。3.如权利要求1或2所述的晶片清洗水供给装置，其中，所述药剂为液体，向超纯水添加该药剂的添加机构是给液泵或压送机构，该压送机构是填充了药剂的密闭罐和向该密闭罐供给非活性气体的加压机构构成的压送机构。4.如权利要求1～3中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜畅子，
申请(专利权)人：栗田工业株式会社，
类型：发明
国别省市：