稳压电路及电源系统技术方案

本申请实施例公开一种稳压电路及电源系统，由于NMOS管的导通内阻小于PMOS场效应管，因此本实施例提供的稳压电路采用NMOS场效应管调整输出至负载的电压，相较于采用PMOS场效应管，可以减小稳压电路的发热以及提高稳压电路的效率。同时运算放大器的正侧电源端用于接入电压大于参考地电压的第一电压，运算放大器的负侧电源端用于接入电压小于参考地电压的第二电压，相对于将运算放大器的电源负端接入参考地电压而言，运算放大器可以输出与参考地的电压相等的电压，甚至小于参考地的电压，使得NMOS场效应管可以完全关断，提高了稳压电路的可靠性。的可靠性。的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
稳压电路及电源系统


[0001]本申请涉及稳压电路
，具体涉及一种稳压电路及电源系统。

技术介绍

[0002]LDO是一种线性稳压器，具有较低的噪声、稳定性、负载响应和较高的电源抑制比被广泛应用于各种电子设备中。
[0003]相关技术中，LDO包括PMOS场效应管以及运算放大器，PMOS场效应管的栅极与运算放大器的输出端连接，用于根据反馈电压以及参考电压的差值控制PMOS场效应管的开启程度，使得LDO可以输出稳定的电压。
[0004]经实践发现，上述结构的LDO在使用时发热量较大且效率较低。

技术实现思路

[0005]本申请实施例公开了一种稳压电路及电源系统，该稳压电路工作时的发热量较小且效率较高。
[0006]本申请实施例公开一种稳压电路，包括：
[0007]运算放大器，包括正相输入端、负相输入端、正侧电源端、负侧电源端以及第一输出端，所述正相输入端用于接入参考电压，所述正侧电源端用于接入第一电压，所述负侧电源端用于接入第二电压，所述第一电压大于参考地的电压，所述第二电压小于所述参考地的电压；
[0008]NMOS场效应管，所述NMOS场效应管的漏极用于接入第三电压，所述NMOS场效应管的源极用于与负载连接，所述NMOS场效应管的栅极与所述运算放大器的第一输出端连接；
[0009]分压模组，包括第一端、第二端以及第二输出端，所述第一端与所述NMOS场效应管的源极连接，所述第二端与所述参考地连接，所述第二输出端与所述负相输入端连接。
[0010]作为一种可选的实施方式，还包括前馈电容，所述前馈电容的一端与所述NMOS场效应管的源极连接，所述前馈电容的另一端与所述分压模组的第二输出端连接。
[0011]作为一种可选的实施方式，还包括第一滤波模组和/或第二滤波模组，所述第一滤波模组的一端与所述NMOS场效应管的漏极连接，所述第二滤波模组的一端与所述NMOS场效应管的源极连接，所述第一滤波模组的另一端以及所述第二滤波模组的另一端与所述参考地连接。
[0012]作为一种可选的实施方式，所述分压模组包括第一阻值单元以及第二阻值单元，所述第一阻值单元的一端与所述第二阻值单元的一端连接，所述第一阻值单元的另一端作为所述第一端，所述第一阻值单元的一端作为所述第二输出端，所述第二阻值单元的另一端作为所述第二端。
[0013]作为一种可选的实施方式，还包括电源模组，所述电源模组与所述NMOS场效应管的漏极连接，用于提供第三电压。
[0014]作为一种可选的实施方式，还包括：
[0015]降压模组，所述降压模组的输入端与所述电源模组连接，所述降压模组用于对所述第三电压进行降压得到第四电压；
[0016]升压模组，所述升压模组的输入端与所述降压模组的输出端连接，所述升压模组的输出端与所述正侧电源端连接，用于对所述第四电压进行升压，为所述正侧电源端提供所述第一电压。
[0017]作为一种可选的实施方式，还包括负压模组，所述负压模组的输入端与所述升压模组的输出端连接，所述负压模组的输出端与所述负侧电源端连接，所述负压模组用于将所述第一电压调整为所述第二电压。
[0018]作为一种可选的实施方式，还包括第一限流模组、第二限流模组和第三限流模组中的至少一个；其中，
[0019]所述第一限流模组的一端与所述正相输入端连接，所述第一限流模组的另一端与所述第二输出端连接；
[0020]所述第二限流模组的一端与所述负相输入端连接，所述第二限流模组的另一端用于接入所述参考电压；
[0021]所述第三限流模组的一端与所述第一输出端连接，所述第三限流模组的另一端与所述NMOS场效应管的栅极连接。
[0022]作为一种可选的实施方式，还包括单片机和数模转换模组，所述单片机与所述数模转换模组的输入端连接，所述数模转换模组的输出端与所述正相输入端连接，所述数模转换模组用于将所述单片机输出的数字信号转换为模拟信号，所述模拟信号作为所述参考电压。
[0023]本申请实施例公开一种电源系统，包括行本申请实施例公开的任意一种稳压电路。
[0024]与相关技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：
[0025]本申请实施例提供的稳压电路，由于NMOS管的导通内阻小于PMOS场效应管，因此采用NMOS场效应管调整输出至负载的电压，相较于采用PMOS场效应管，可以减小稳压电路的发热以及提高稳压电路的效率。同时运算放大器的正侧电源端用于接入电压大于参考地电压的第一电压，运算放大器的负侧电源端用于接入电压小于参考地电压的第二电压，相对于将运算放大器的电源负端接入参考地电压而言，运算放大器可以输出与参考地的电压相等的电压，甚至小于参考地的电压，使得NMOS场效应管可以完全关断，提高了稳压电路的可靠性。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本申请实施例公开的一种稳压电路的结构示意图；
[0028]图2是本申请实施例公开的另一种稳压电路的结构示意图；
[0029]图3是本申请实施例公开的又一种稳压电路的结构示意图；
[0030]图4是本申请实施例公开的一种升压模组的结构示意图；
[0031]图5是本申请实施例公开的一种负压模组的结构示意图；
[0032]图6是本申请实施例公开的再一种负压模组的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0035]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。
[0036]可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
[0037]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种稳压电路，其特征在于，包括：运算放大器，包括正相输入端、负相输入端、正侧电源端、负侧电源端以及第一输出端，所述正相输入端用于接入参考电压，所述正侧电源端用于接入第一电压，所述负侧电源端用于接入第二电压，所述第一电压大于参考地的电压，所述第二电压小于所述参考地的电压；NMOS场效应管，所述NMOS场效应管的漏极用于接入第三电压，所述NMOS场效应管的源极用于与负载连接，所述NMOS场效应管的栅极与所述运算放大器的第一输出端连接；分压模组，包括第一端、第二端以及第二输出端，所述第一端与所述NMOS场效应管的源极连接，所述第二端与所述参考地连接，所述第二输出端与所述负相输入端连接。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括前馈电容，所述前馈电容的一端与所述NMOS场效应管的源极连接，所述前馈电容的另一端与所述分压模组的第二输出端连接。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括第一滤波模组和/或第二滤波模组，所述第一滤波模组的一端与所述NMOS场效应管的漏极连接，所述第二滤波模组的一端与所述NMOS场效应管的源极连接，所述第一滤波模组的另一端以及所述第二滤波模组的另一端与所述参考地连接。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述分压模组包括第一阻值单元以及第二阻值单元，所述第一阻值单元的一端与所述第二阻值单元的一端连接，所述第一阻值单元的另一端作为所述第一端，所述第一阻值单元的一端作为所述第二输出端，所述第二阻值单元的另一端作为所述第二端。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括电源模组，所述电源模...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎长才，
申请(专利权)人：闻泰通讯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：