电流控制电路和芯片制造技术

本申请公开了一种电流控制电路和芯片。电流控制电流包括电流生成模块、负反馈模块和电流偏置模块，电流生成模块分别连接电源输入端和负反馈模块，电流生成模块用于根据电源输入端的电源信号开启负反馈模块，负反馈模块还连接接地端和第一节点，用于调节第一节点的电压，电流偏置模块分别连接电源输入端、第一节点和电源输出端，用于根据第一节点的电压和电源输入端的电源信号向电源输出端输出基准电流，本申请的电流控制电路能够在满足输出基准电流的同时，能够有效地降低自身体积与功耗，从而有利于降低集成电路的体积与功耗。从而有利于降低集成电路的体积与功耗。从而有利于降低集成电路的体积与功耗。

【技术实现步骤摘要】
电流控制电路和芯片


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是一种电流控制电路和芯片。

技术介绍

[0002]基准电压电路和基准电流电路为集成电路内部其他功能模块提供基准电压和基准电流，是集成电路中必不可少的基础电路。相关技术中，基准电流电路主要由基准电压电路、运算放大电路、频率补充电路、电流镜电路以及电阻等组成，基准电流电路的体积较大，且功耗高，而集成电路追求小体积，低成本，低功耗成为一种趋势，因此，如何设计极小面积和极低功耗的基准电流源以满足集成电路的需求成了目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请需要提供一种电流控制电路和芯片。
[0004]本申请实施方式的电流控制电路，包括电流生成模块、负反馈模块和电流偏置模块；
[0005]所述电流生成模块分别连接电源输入端和所述负反馈模块，所述电流生成模块用于根据所述电源输入端的电源信号开启所述负反馈模块；
[0006]所述负反馈模块还连接接地端和第一节点，用于调节所述第一节点的电压；
[0007]所述电流偏置模块分别连接所述电源输入端、所述第一节点和电源输出端，用于根据所述第一节点的电压和所述电源输入端的电源信号向所述电源输出端输出基准电流。
[0008]在某些实施方式中，所述电流生成模块包括：
[0009]第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接所述电源输入端，栅极和源极连接所述负反馈模块。
[0010]在某些实施方式中，所述第一晶体管为耗尽型N型晶体管。
[0011]在某些实施方式中，所述负反馈模块包括：
[0012]第二晶体管，所述第二晶体管的漏极连接所述电流生成模块，源极连接接地端；
[0013]第三晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一节点，源极连接所述第二晶体管的栅极，栅极连接所述第二晶体管的漏极。
[0014]在某些实施方式中，所述负反馈模块还包括：
[0015]分压电阻，所述分压电阻分别连接所述第三晶体管的源极和接地端。
[0016]在某些实施方式中，所述第二晶体管为增强型N型晶体管。
[0017]在某些实施方式中，所述电流偏置模块包括电流镜单元，所述电流镜用于将所述第一节点的电流镜像至所述电源输出端。
[0018]在某些实施方式中，所述电流镜单元包括：
[0019]第四晶体管，所述第四晶体管的漏极连接所述电源输入端，栅极和所述漏极连接所述第一节点；
[0020]第五晶体管，所述第五晶体管的漏极连接所述电源输入端，栅极连接所述第四晶体管的栅极，源极连接所述电源输出端。
[0021]在某些实施方式中，所述第四晶体管和所述第五晶体管为P型晶体管。
[0022]本申请实施的芯片，包括上述任一项所述的电流控制电路。
[0023]本申请实施方式的电流控制电路和芯片中，通过电流生成模块，负反馈模块和电流偏置模块的设置，电流生成模块能够根据电源输入端的电源信号开启负反馈模块，使得负反馈模块能够调节第一节点的电压，如此，电流偏置模块可以根据第一节点的电压和电源输入端的电源信号向电源输出端输出基准电流，并且，电流控制电路无需额外设置基准电压电路和频率补偿电路等，能够有效降低电流控制电路的面积和功耗，从而满足芯片设计需求。
[0024]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0025]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0026]图1是本申请实施方式的电流控制电路的模块示意图。
[0027]图2是本申请实施方式的电流控制电路的连接示意图。
[0028]图3是本申请实施方式的芯片的模块示意图。
[0029]主要元件符号说明：
[0030]电流控制电路10、电流控制模块12、第一晶体管T1；
[0031]负反馈模块14、第二晶体管T2、第三晶体管T3、分压电阻R1；
[0032]电流偏置模块16、第四晶体管T4、第五晶体管T5；
[0033]电源输入端VDD、接地端GND、电源输出端IOUT、基准电流Iref、第一节点N1；
[0034]芯片100。
具体实施方式
[0035]下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0036]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0037]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相
连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0038]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0039]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流控制电路，其特征在于，包括电流生成模块、负反馈模块和电流偏置模块；所述电流生成模块分别连接电源输入端和所述负反馈模块，所述电流生成模块用于根据所述电源输入端的电源信号开启所述负反馈模块；所述负反馈模块还连接接地端和第一节点，用于调节所述第一节点的电压；所述电流偏置模块分别连接所述电源输入端、所述第一节点和电源输出端，用于根据所述第一节点的电压和所述电源输入端的电源信号向所述电源输出端输出基准电流。2.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，所述电流生成模块包括：第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接所述电源输入端，栅极和源极连接所述负反馈模块。3.根据权利要求2所述的电流控制电路，其特征在于，所述第一晶体管为耗尽型N型晶体管。4.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，所述负反馈模块包括：第二晶体管，所述第二晶体管的漏极连接所述电流生成模块，源极连接接地端；第三晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一节点，源极连接所述第二晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱治鼎，王蒙，
申请(专利权)人：深圳市创芯微微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：