具有金层的导电膜制造技术

技术编号:37514404 阅读:17 留言:0更新日期:2023-05-12 15:35
本发明专利技术的课题在于得到一种导电膜,其抑制铜向金层的迁移,抑制金层的经时变色的同时不因弯曲而产生金层的裂纹。进而,能够得到耐腐蚀性优异的导电膜。其为在绝缘性膜基材的一个面上依次层叠铜层、镍层、金层而成的导电膜,其特征在于,所述镍层的厚度为0.05~0.2μm。优选层叠有所述镍层的一侧的所述铜层表面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm以下。术平均粗糙度Ra为0.02μm以下。术平均粗糙度Ra为0.02μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有金层的导电膜


[0001]本专利技术涉及一种导电膜。详细而言,涉及在表面层叠金层且抑制铜向金层迁移的同时改善金层的耐弯曲性、耐腐蚀性的导电膜。

技术介绍

[0002]随着电子设备的小型化、轻量化,利用在可挠性的膜表面形成有电路的柔性印刷基板。在形成于膜表面的电路中,大多使用导电性高的铜。进而,出于降低由铜构成的电路表面的保护、接触电阻的目的,在铜表面层叠由金构成的层。在铜的表面直接层叠由金构成的层的情况下,发生由经时的铜的迁移而在金层的表面蓄积铜,存在变色或接触电阻值增大的问题。
[0003]为了解决该问题,进行设置由镍、锡等构成的中间层。然而,还提出了如下问题:设置中间层的结果是,因弯曲而在由金构成的层的表面产生裂纹或产生针孔,由此导致耐腐蚀性降低这样的新问题,正寻求解决这些问题。
[0004]例如,在专利文献1(日本特开2009

176646)中,提出了一种设有中间(镍)层的箔状导体,其特征在于,在由金等构成的表面层之下构成表面侧区域的金属的平均结晶粒径为0.001~0.3μm。由此,表面层的正下方变得平滑,难以在表面层形成针孔,但由于不能使中间层的厚度充分变薄,因此耐弯曲性差。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2009

176646

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]本专利技术的课题在于解决上述问题,提供抑制铜向由金构成的层的迁移的同时改善由金构成的层的耐弯曲性、耐腐蚀性的导电膜。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本专利技术的导电膜是在绝缘性膜基材的一个面上依次层叠由铜层、镍层和金层构成的金属层而成的导电膜,其特征在于,所述镍层的厚度为0.05~0.2μm。
[0012]由此,能够得到在抑制铜向金层的迁移的同时即使在弯曲的情况下也未在金层产生裂纹的导电膜。
[0013]在所述铜层中,优选层叠有所述镍层的一侧的铜层表面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm以下。由此,能够提高导电膜的耐腐蚀性。
[0014]所述金层表面的算术平均粗糙度Ra优选为0.03μm以下。由此,能够进一步提高导电膜的耐腐蚀性。
[0015]所述铜层的厚度优选为1~5μm。
[0016]优选在所述绝缘性膜的与设置有金属层的面相反的面上设置有伸长率为200~
2000%的树脂层。
[0017]优选在所述金层的表面形成有包含选自杂环式化合物、硫醇类化合物和胺类化合物中的至少一种的有机类封孔处理剂的膜。由此,优选将无法目视确认的微小的针孔密封。
[0018]所述绝缘性膜基材优选包含聚酰亚胺树脂。由此,能够得到耐热性优异的导电膜。
[0019]所述绝缘性膜基材的厚度优选为4~25μm。
[0020]专利技术效果
[0021]根据本专利技术,能够得到抑制经时的变色的同时不因弯曲而产生金层的裂纹的导电膜。进而,能够得到耐腐蚀性优异的导电膜。
附图说明
[0022]图1为示出本专利技术的耐弯曲性试验的方法的概略图。
具体实施方式
[0023]本专利技术的导电膜在绝缘性膜基材的一个面上,由铜层、镍层和金层这3层构成的金属层以铜层、镍层、金层依次层叠在绝缘性膜基材上。即,本专利技术的导电膜具有“绝缘性膜基材/铜层/镍层/金层”这样的层构成,一侧的最外层为金层。
[0024]1.绝缘性膜基材
[0025]本专利技术的导电膜以绝缘性膜基材为基底。作为绝缘性膜基材,优选使用包含合成树脂的膜。作为合成树脂,没有特别限定,可以列举出聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂等。其中,从得到耐热性优异的导电膜出发,优选为包含聚酰亚胺树脂的绝缘性膜基材。
[0026]对于所述绝缘性膜基材的厚度没有特别限制,下限优选为2μm,更优选为3μm,特别优选为4μm。厚度的上限优选为100μm,更优选为50μm,进一步优选为25μm,特别优选为13μm。若所述绝缘性膜基材的厚度在该范围,则能够得到具有适度的可挠性的导电膜。期望的是,所述绝缘性膜基材的厚度为4~25μm。
[0027]对于绝缘性膜基材的绝缘性没有特别限制,优选的电阻值为1
×
10
14
Ω/

以上。
[0028]2.铜层
[0029]在所述绝缘性膜基材的一个面上层叠有铜层,铜层与绝缘性膜基材相接。对于所述铜层的厚度没有特别限制,下限优选为0.5μm,更优选为1μm,特别优选为1.5μm。厚度的上限优选为8μm,更优选为6μm,特别优选为5μm。若所述铜层的厚度在该范围,则可确保充分的导电性,可获得可挠性优异的导电膜。期望的是,所述铜层的厚度为1~5μm。
[0030]对于铜层的形成方法没有特别限制,优选地,可以列举出在绝缘性膜基材上采用真空蒸镀法等公知的蒸镀法形成、或使用溅射法形成、或者采用公知的电镀铜法形成的方法等。
[0031]铜层也可以由2种以上不同的方法形成的多层构成。例如,作为第一铜层,可以在绝缘性膜基材上具有采用蒸镀法形成的铜蒸镀层,作为第二铜层,可以在所述第一铜层上具有采用电镀铜法形成的铜镀层。由此,可以高效地得到期望厚度的铜层。
[0032]第一铜层的厚度优选为0.1~2.0μm、第二铜层的厚度优选为0.5~5.0μm、第一铜层和第二铜层合在一起形成为上述铜层厚度即可。另外,所述铜层表面的算术平均粗糙度
Ra在具有第一铜层和第二铜层的情况下,成为与镍层相接的第二铜层的表面的粗糙度。
[0033]关于所述铜层的表面,其算术平均粗糙度Ra优选为0.02μm以下,更优选为0.01~0.02μm。如果Ra在该范围内,则形成于其上的镍层和金层的厚度变得更均匀,能够抑制表面(金)层的针孔而提高耐腐蚀性。
[0034]算术平均粗糙度Ra可以使用扫描型共焦激光显微镜(例如奥林巴斯株式会社制、商品名“LEXT OLS30

SU”)等装置,采用按照JIS B 0601:2001的方法进行测定。
[0035]为了使铜层的算术平均粗糙度Ra成为上述范围,作为形成铜层的方法,优选采用利用真空蒸镀法、溅射法、含有光亮剂的电镀铜的铜膜形成法。
[0036]3.镍层
[0037]在所述铜层的表面(与绝缘性膜基材相反的一侧、铜层与金层之间)层叠有镍层。重要的是,所述镍层的厚度为0.05~0.2μm。即,厚度的下限为0.05μm,优选为0.07μm以上。厚度的上限为0.2μm,优选为0.15μm以下,更优选为0.12μm以下。若所述镍层的厚度在该范围内,则在抑制铜的迁移的同时,在导电膜弯曲时能够抑制在后述的金层产生裂纹。
[0038]进而,在本专利技术中,由于镍层的厚度极薄,因此将铜层表面的算术平均粗糙度抑制得较小的效果,不仅能够均匀地形成薄的镍层,还可以均匀地形成薄的金层本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.导电膜,是在绝缘性膜基材的一个面上依次层叠由铜层、镍层和金层构成的金属层而成的导电膜,其特征在于,所述镍层的厚度为0.05~0.2μm。2.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,在所述铜层中,层叠有所述镍层的一侧的铜层表面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm以下。3.根据权利要求1或2所述的导电膜,其特征在于,所述金层表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm以下。4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电膜,其特征在于,所述铜层的厚度为1~5μm。5.根据权利要求1~4中...

【专利技术属性】
技术研发人员:野坂敬之后藤昌利萨摩英希
申请(专利权)人:世联株式会社
类型:发明
国别省市:

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