在掩膜框架上形成对准标记的装置和方法、以及制造掩膜框架的装置和方法制造方法及图纸

公开的实施例的装置是一种在掩膜框架上形成对准标记(align mark)的装置，包括：接触式测量器，所述接触式测量器用于测量完成加工的掩膜框架的对准状态；对准装置，所述对准装置基于所述对准状态来对所述掩膜框架进行重新对准；以及打标装置，所述打标装置在完成所述重新对准后，在所述掩膜框架上形成对准标记；其中，当将所述掩膜框架与掩膜片或掩膜条结合以制造掩膜组件时，所述对准标记用于相互间对准。间对准。间对准。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在掩膜框架上形成对准标记的装置和方法、以及制造掩膜框架的装置和方法


[0001]本专利技术涉及一种在掩膜框架上形成对准标记(ALIGN MARK)的装置和方法，其中掩膜框架包含在用于制造显示装置的掩膜(mask)组件中。
[0002]本专利技术涉及一种制造掩膜框架的装置和方法，其中掩膜框架包含在用于制造显示装置的掩膜组件中。

技术介绍

[0003]近来广泛制造的有机发光显示装置(OLED：Organic Light
‑
Emitting Diodes)被广泛用作在电视机、PC、平板电脑、智能手机、智能手表、车辆仪表盘等中配备的显示装置。OLED是发光的层由有机化合物构成的薄膜发光二极管。制造OLED显示屏时，在使电极层、有机发光层、绝缘膜等薄膜层叠并进行图案化时，利用了基于具有对应图案的掩膜组件的蒸镀(evaporation)工序。
[0004]图1是示出显示装置制造工序中利用掩膜组件的蒸镀工序的图。
[0005]图1中示出了用于利用掩膜组件1在基板B上层叠电极层、发光层、绝缘层等薄膜层并进行图案化的蒸镀工序。在蒸镀工序中，从蒸镀源A发散的金属、有机物或绝缘物等粒子穿过掩膜组件1后，可以蒸镀于与掩膜组件1相接的基板B上。
[0006]这种蒸镀工序中利用的掩膜组件1由形成有蒸镀图案的掩膜片或掩膜条20和对其进行固定的掩膜框架10构成。具体地，掩膜组件具有在结构相对坚固的掩膜框架上粘合相对较薄的掩膜片、支撑条和/或掩膜条等的结构。掩膜框架是具有约5mm～80mm左右厚度的窗框或门框形态的框架结构，并具有用于稳定保持掩膜组件形状的功能。掩膜片或掩膜条在具有约0.01mm～5.00mm左右厚度的薄膜金属片或条上形成蒸镀时将使用的既定图案。
[0007]图2a和图2b是示出结合掩膜片或掩膜条和掩膜框架以制造掩膜组件的图。
[0008]参照图2a和图2b，掩膜组件1具有在掩膜框架10上粘合一体型掩膜片21的结构(图2a)或在掩膜框架10上粘合多个掩膜条22的结构(图2b)。掩膜框架10或者掩膜片21或掩膜条22利用例如因瓦合金(Invar
‑
36Alloy)等热膨胀率随温度变化非常小的金属而制造。
[0009]通常在制造掩膜组件1时，为了防止作为薄板的掩膜片21或掩膜条22下垂的现象，可以在使掩膜片21或掩膜条22拉伸之后，利用激光点焊方式等粘合于掩膜框架10上。
[0010]因此，在制造掩膜组件1的过程中，会因拉伸力等而发生误差，在OLED制造工序中，掩膜组件的误差是制造OLED时发生误差的主要原因。近来，随着OLED分辨率的增加，有必要进一步提高掩膜组件的精密度，因此，存在需减小掩膜组件误差的迫切技术要求。

技术实现思路

[0011]技术课题
[0012]在制造掩膜组件时，拉伸掩膜片或掩膜条以粘合于掩膜框架，此时，为了掩膜框架与掩膜片或掩膜条相互间的对准而使用对准标记(align mark)。对准标记也称为对准孔
(align hole)。在掩膜框架的既定部分形成对准标记后，对准该对准标记粘合掩膜片或掩膜条。
[0013]图3是示出形成有对准标记的掩膜框架的图。
[0014]参照图3，在掩膜框架10上形成有对准标记11。对准标记11用于在结合掩膜框架10与掩膜片21或掩膜条22时相互对准。例如如图3所示，可以在掩膜框架的四个顶点部分形成对准标记11。不同于此，虽然未示出，也可以在掩膜框架的其他部分形成对准标记11。
[0015]图4a和图4b是示出利用掩膜框架的对准标记而在掩膜框架上结合掩膜条的图。具体地，图4a是示出对准标记11在准确位置形成的情形的图，图4b是示出对准标记11在不准确位置形成的情形的图。
[0016]作为正常情形，参照图4a，以掩膜框架10的对准标记11为基准，掩膜框架10被载入到拉伸器(未示出)，以掩膜框架10的对准标记11为基准，对准条23粘合于掩膜框架10。例如，对准条23可以粘合于掩膜框架10的两端。然后，以粘合于掩膜框架10的对准条23为基准，将多个掩膜条22粘合于掩膜框架10。例如，可以将多个掩膜条22与对准条23平齐配置地粘合于掩膜框架10。为了防止下垂现象，拉伸掩膜条22并进行粘合。在图4a的掩膜条22上标识的箭头示出了施加于掩膜条22的拉伸力。为了防止稍后掩膜框架10因这种拉伸力的复原力而向内侧收缩，即，为了抵消这种复原力，可以向掩膜框架10施加与拉伸力相反方向的反作用力(counter force)。在图4a的掩膜框架10外侧标识的箭头示出了施加于掩膜框架10的反作用力。
[0017]作为非正常情形，参照图4b，在掩膜框架10上的不准确位置形成对准标记11，因而以对准标记11为基准被粘合的对准条23也歪斜地粘合于掩膜框架10，以这种对准条23为基准粘合于掩膜框架10的多个掩膜条22也歪斜地粘合于掩膜框架10。另外，由于对准标记11被形成在掩膜框架10上不准确的位置，因而掩膜框架10被歪斜地载入到拉伸器，于是，在施加于掩膜框架10各处的反作用力中也发生不均衡，因而掩膜框架10会变形。
[0018]一般地，掩膜框架在被称为加工中心(MCT：Machining Center)的掩膜框架加工装置中被制造。即，在MCT中加工掩膜框架，一并进行形成对准标记的作业。因此，掩膜框架的对准标记的精密度取决于MCT的加工精密度，作为MCT精密度基准的机器标尺(Machine Scale)的热膨胀率约为8.6
×
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‑6m/℃，掩膜框架的主材料的因瓦合金的热膨胀率约为1.2
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10
‑6m/℃，相比于因瓦合金，机器标尺的热膨胀率相对较大。另外，MCT的作业环境通常不是能够控制温度的环境。因此，MCT中制造的掩膜框架的对准标记，存在精密度非常低的问题。具体地，参照下表1，即使与基准环境的温度(例如，22℃)仅相差2℃，MCT的机器标尺也会收缩或膨胀29.2μm，由此发生较大误差。例如，拉伸器的位置精密度为1μm，掩膜条(例如，FMM条)的制作规格为2μm～10μm，位置精密度为3μm，所述29.2μｍ的误差相对很大。于是，如上所述，结果增加了在掩膜组件制造过程中掩膜框架发生变形的可能性。
[0019][表1][0020][0021]本专利技术的实施例能够解决前述以往技术问题。
[0022]用于解决课题的方案
[0023]本专利技术一个方面提供在掩膜框架上形成对准标记(align mark)的装置的实施例，其中掩模框架包含在用于制造显示装置的掩膜组件中。代表性实施例的装置包括：接触式测量器，所述接触式测量器用于测量完成加工的掩膜框架的对准状态；对准装置，所述对准装置基于所述对准状态来对所述掩膜框架进行重新对准；以及打标装置，所述打标装置在完成所述重新对准后，在所述掩膜框架上形成对准标记；其中，当将所述掩膜框架与掩膜片或掩膜条结合以制造掩膜组件时，所述对准标记用于相互间的对准。
[0024]在一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在掩膜框架上形成对准标记的装置，包括：接触式测量器，所述接触式测量器用于测量完成加工的掩膜框架的对准状态；对准装置，所述对准装置基于所述对准状态来对所述掩膜框架进行重新对准；以及打标装置，所述打标装置在完成所述重新对准后，在所述掩膜框架上形成对准标记，当将所述掩膜框架与掩膜片或掩膜条结合以制造掩膜组件时，所述对准标记用于相互间对准。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置是独立于加工所述掩膜框架的装置而被配备的。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触式测量器用于接触所述掩膜框架的外侧边缘并测量对准状态。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触式测量器以x、y坐标和旋转角度的形态测量对准状态，所述旋转角度为所述掩膜框架的轴偏离基准轴的角度。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述对准装置对所述掩膜框架进行重新对准，以使所述掩膜框架的轴与所述基准轴一致。6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述装置还包括摄像机，所述摄像机与所述接触式测量器一同被驱动并测量x、y坐标。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述打标装置为飞秒激光器。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触式测量器在形成所述对准标记后，以所形成的对准标记为基准来测量所述掩膜框架的尺寸。9.一种在掩膜框架上形成对准标记的方法，包括：利用接触式测量器对完成加工的掩膜框架的对准状态进行测量的步骤；基于所述对准状态来对所述掩膜框架进行重新对准的步骤；以及完成所述重新对准后，在所述掩膜框架上形成对准标记的步骤，当将所述掩膜框架与掩膜片或掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：庾弘宇，
申请(专利权)人：皮姆思株式会社，
类型：发明
国别省市：