【技术实现步骤摘要】
一种炉管与形成薄膜的方法
[0001]本申请涉及但不限于半导体储存器
，尤其涉及一种炉管与形成薄膜的方法。
技术介绍
[0002]相关技术中，半导体器件在制备过程中会采用原子层沉积工艺在硅衬底表面形成薄膜，此工艺是将反应气体交替的通入反应腔室，并在沉积表面发生化学反应形成薄膜，具有较好的阶梯覆盖性能、精确的单层膜厚的控制。但在薄膜形成的过程中，由于反应气体分布不均，通入的反应气体往往会引入杂质，导致薄膜成型不均，影响后续工艺效果，导致最终形成的半导体器件性能差异过大，良率较低。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种炉管与形成薄膜的方法。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种炉管，包括：反应室；所述反应室中设置有承载衬底的晶舟和用于通入气体的注入管路集；
[0005]其中，所述通入气体至少包括：含硅反应气体、含氮反应气体、除杂反应气体和清洁气体；所述注入管路集包括竖直设置的第一气体注入管路和第二气体注入管路，其中：
[0006]所述第一气体注入管路为从顶部至底部均设...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种炉管，其特征在于，包括：反应室；所述反应室中设置有承载衬底的晶舟和用于通入气体的注入管路集；其中，所述通入气体至少包括：含硅反应气体、含氮反应气体、除杂反应气体和清洁气体；所述注入管路集包括竖直设置的第一气体注入管路和第二气体注入管路，其中：所述第一气体注入管路为从顶部至底部均设置有喷气孔的单管，所述第一气体注入管路至少延伸至所述晶舟的顶部和底部；所述第二气体注入管路为采用弯管接头和两个单管形成的U型或倒U型管路，所述第二气体注入管路至少延伸至所述晶舟的顶部和底部，在所述两个单管中远离进气口的单管上从顶部至底部均设置有喷气孔。2.根据权利要求1所述的炉管，其特征在于，所述注入管路集还包括竖直设置的第三气体注入管路；所述第三气体注入管路为从顶部至底部均设置有喷气孔的单管，所述第三气体注入管路至少延伸至所述晶舟的底部和中部。3.根据权利要求1所述的炉管，其特征在于，所述注入管路集还包括水平设置的第四气体注入管路，所述第四气体注入管路设置有喷气孔的单管。4.根据权利要求1所述的炉管，其特征在于，从底部到顶部的方向上，所述喷气孔的孔径依次减小，和/或从靠近所述进气口的一端到远离所述进气口另一端的方向上，所述喷气孔孔径依次减小。5.根据权利要求4所述的炉管，其特征在于，从底部到顶部的方向上，所述第一气体注入管路的喷气孔的孔径依次减小，上部喷气孔孔径为底部喷气孔孔径的1/3至2/3倍，中部喷气孔孔径为底部喷气孔孔径的3/4至2/3倍。6.根据权利要求4所述的炉管，其特征在于，还包括：设置于所述反应室内的射频电极和加热组件；所述射频电极用于对通入所述反应室内的所述含氮反应气体、所述除杂反应气体进行自由基活化；所述加热组件用于对所述衬底进行高温回火处理。7.根据权利要求1至6任一项所述的炉管，其特征在于，还包括：进气管，与所述反应室连通，至少用于通入所述含硅反应气体、所述含氮反应气体、所述除杂反应气体和所述清洁气体；排气管，与所述反应室连通，至少用于排出所述清洁气体和反应后剩余的所述含硅反应气体、所述含氮反应气体和所述除杂反应气体。8.根据权利要求7所述的炉管，其特征在于，还包括：设置于所述进气管上的阀门，用于调整所述反应室内的压力。9.根据权利要求1至6任一项所述的炉管，其特征在于，还包括：设置于所述反应室内的底盘，所述底盘用于支撑晶舟；所述注入管路集设置在所述底盘侧边缘。10.根据权利要求8所述的炉管，其特征在于，还包括：设置于所述进气管上的质量流量控制器，用于在通入气体时按照气体类型通过所述质量流量控制器控制所述气体的质量。11.一种形成薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
通过注入管路集向反应室注入含硅反应气体，使所述含硅反应气体吸附到反应室中的衬底表面上；通过注入管路集向所述反应室中注入含氮反应气体，将被吸附的含硅反应气体暴露于包含氮自由基的等离子体中，使被吸附的含硅反应气体在衬底上形成薄膜层；在注入含氮反应气体之前或之后，向所述反应室中注入除杂反应气体，去除含硅反应气体引入的杂质；至...
【专利技术属性】
技术研发人员：王庆隆，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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