成膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。的膜厚分布也良好。的膜厚分布也良好。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置


[0001]本技术涉及一种成膜方法、成膜装置以及结晶性氧化物膜及其应用。

技术介绍

[0002]作为能够实现高耐压、低损耗以及高耐热的下一代开关元件，使用带隙大的氧化镓(Ga2O3)的半导体装置受到瞩目，向反相器等电力用半导体装置的适用备受期待。而且，氧化镓由于其宽带隙，作为(Light Emitting Diode，LED)或传感器等的受光/发光装置的广泛应用也备受期待。尤其在氧化镓中，具有刚玉结构的α
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Ga2O3等可通过将铟或铝分别或者组合起来设为混合晶体来控制带隙，构成作为InAlGaO系半导体而极富魅力的材料系统。此处，所谓InAlGaO系半导体，是指In
X
Al
Y
Ga
Z
O3(0≤X≤2，0≤Y≤2，0≤Z≤2，X+Y+Z＝1.5～2.5)，可俯瞰为包含氧化镓的同一材料系统。
[0003]但是，氧化镓的最稳定相为β氧化镓结构，因此若不使用特殊的成膜法，便难以使作为准稳定相的刚玉结构的结晶膜成膜。例如，在异质外延成长等中，晶体生长条件受到限制的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，其进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置，其特征在于包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述基板加热部件还包括基板非载置部，所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件能够将所述基板非载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置。3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，所述喷嘴包括用于对所述喷嘴进行加热的喷嘴加热部件。4.一种成膜装置，其进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置，其特征在于包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；成膜用构件；以及位置调整部件，能够将所述成膜用构件的位置调整为所述基板载置部的表面的法线方向的所述基板载置部上的位置以外的位置。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部武纪，桥上洋，坂爪崇寛，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：新型
国别省市：