自旋场效应逻辑装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：栅电极；沟道，在栅电极上方由磁材料形成，以选择性地传输自旋极化的电子；源极，在沟道上；漏极和输出电极，在沟道上，输出从源极传输的电子。栅电极可控制沟道的磁化状态，以选择性地传输从源极注入到沟道的电子。

【技术实现步骤摘要】

—个或多个示例实施例涉及电子自旋场效应逻辑装置。
技术介绍
当半导体器件以纳米级(nano-scale)制造时，载流子迁移率的增加速度不能跟 上器件集成程度(如，器件的数量)，因此，尽管器件的尺寸减小，但是功率需求量没有减 少。为了解决上述问题，已提出使用电子自旋的技术。 自旋晶体管是通过基于自旋极化移动电子来操作的器件。用于移动电子的功耗可 较小，并且导通速度可较高。例如，自旋晶体管可包括在沟道上的通过栅极隔开的源极和漏 极。自旋晶体管可被构造为基于在沟道中是否存在场效应来在源极和漏极之间传输自旋极 化的电子。场效应可调节在漏极检测到的自旋极化电流的量。 使用晶体管的传统逻辑电路需要大量的晶体管并具有复杂的结构。当制造使用自 旋场效应的逻辑装置时，与传统逻辑电路相比，逻辑装置可具有不同的、更简单的结构，并 且逻辑电路中的元件的数量会减少。
技术实现思路
—个或多个示例实施例包括自旋场效应逻辑装置。 —个或多个示例实施例可包括利用自旋场效应的逻辑装置，所述逻辑电路装置包 括第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第 一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自旋场效应逻辑装置，包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪起夏，金钟燮，申在光，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]