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本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：栅电极；沟道，在栅电极上方由磁材料形成，以选择性地传输自旋极化的电子；源极，在沟道上；漏极和输出电极，在沟道上，输出从源极传输的电子。栅电极可控制沟道的磁化状态，以选择性地传输从源极注入...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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