逆变器后级逻辑控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于电力装置逻辑控制装置，尤其涉及一种逆变器后级逻辑控制装置。本发明专利技术的逆变器后级逻辑控制装置，包括双环PI模块、PWM发生单元、PWM逻辑处理单元、PWM保护处理单元和隔离驱动单元，双环PI模块通过PWM发生单元与PWM逻辑处理单元连接，PWM逻辑处理单元通过PWM保护处理单元与隔离驱动单元连接。本发明专利技术的逆变器后级控制装置主要体现在PWM逻辑处理，PWM波形的死区消去。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电力装置逻辑控制装置，尤其涉及一种逆变器后级逻辑控制装置。
技术介绍
逆变器后级逻辑控制电路设计在市场上方式很多，但其最大的缺陷就是其电路复杂，PWM波形的死区无法消去。
技术实现思路
本专利技术的技术效果能够克服上述缺陷，提供一种逆变器后级逻辑控制装置，其主要体现在PWM逻辑处理，PWM波形的死区消去。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：其包括双环PI模块、PWM发生单元、PWM逻辑处理单元、PWM保护处理单元和隔离驱动单元，双环PI模块通过PWM发生单元与PWM逻辑处理单元连接，PWM逻辑处理单元通过PWM保护处理单元与隔离驱动单元连接。。本专利技术的逆变器后级控制装置主要体现在PWM逻辑处理，PWM波形的死区消去。附图说明图1为本专利技术的后级逆变控制电路；图2为本专利技术的逆变驱动逻辑验证；图3为本专利技术的逆变逻辑保护电路；图4为本专利技术的死区生成电路；图5为本专利技术的逆变驱动电路。具体实施方式后级逆变控制电路的总体结构如1图所示，其中双环PI部分及PWM信号发生电路与前级直流变换器中基本相同。本设计主要介绍PWM逻辑处理部分的工作原理，而图右侧的PWM保护处理及隔离驱动电路将在下两节中做详细介绍。PWM逻辑处理部分的主要功能是对比较器的输出进行数字逻辑处理，以得到如图1,所示的单极性SPWM驱动信号vSQ1、vSQ2、vSQ3、vSQ4。由于模拟电路存在误差等原因，完全单极性的三角波是不易产生的，故本课题中考虑采用双极性正负对称的三角波进行交截，而双环PI的输出又同样为双极性，这就要求在PWM发生单元与保护处理单元间加入一逻辑处理部分，将PWM单元所产生的信号处理成逆变电路所需的驱动信号，具体连接如1图所示。不失一般性，下面仅对驱动信号PWM1、PWM2进行验证，如2图所示，从图中可以看出通过此逻辑单元处理后的驱动信号PWM1、PWM2与驱动信号vSQ1、vSQ2逻辑相同，频率扩大两倍。后级逆变电路中也加入了对其输出电压、电流的检测逻辑保护功能，如3图所示，由于逆变电路输出电压、电流的双极性，在保护电路中需对其正半周期与负半周期同时进行检测。因此，在后级保护采样电路中，将输出电压、电流信号及其取反后的信号分别通过二极管71D3>_1、71D>3_1、71D3>_3、71D>3_3送到比较器的“-”端，以达到同时对电压、电流信号的正负半周期进行检测的目的。同时，为了避免逆变电路中同一桥臂侧的上下两管之间同时导通，需对其驱动信号加入死区限制，如4图所示。驱动信号dv1_IV置高电平时，由于RC电路的作用使输出信号上升沿产生一定的延时；dv1_IV置零时，电容上的电压通过二极管瞬间释放，对输出信号不产生影响。通过计算与实际调试最终确定电阻54R_1选取43k、电容54C_1选择10pF，以产生上升沿为200ns左右的死区延时。当送入光耦3120的逻辑驱动信号drv1_IV_pp为高时，光耦的6、7脚与8脚导通，送入IGBT开关管栅极的驱动信号DRIVER11相对+20V1G点的电压为+20V，且由于稳压管DRV1_D2的存在，IGBT源极信号DRIVER11-为+5V，此时栅源电压为+15V，开关管导通；当送入光耦3120的逻辑驱动信号为低时，3120的6、7脚与5脚导通，此时IGBT管栅源电压为-5V，开关管截止。由上述可知，要实现全桥逆变电路四个开关管驱动信号的隔离输出共需四组该驱动模块。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变器后级逻辑控制装置，其特征在于，包括双环PI模块、PWM发生单元、PWM逻辑处理单元、PWM保护处理单元和隔离驱动单元，双环PI模块通过PWM发生单元与PWM逻辑处理单元连接，PWM逻辑处理单元通过PWM保护处理单元与隔离驱动单元连接。

【技术特征摘要】
1.一种逆变器后级逻辑控制装置，其特征在于，包括双环PI模块、PWM发生单
元、PWM逻辑处理单元、PWM保护处理单元和隔离驱动单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高显扬，吕华平，
申请(专利权)人：江苏绿扬电子仪器集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32