高压二极管制造技术

本申请公开一种高压二极管，包括阴极、N型半导体衬底、N型半导体漂移层、第一氧化部、第一P型掺杂部、第二P型掺杂部、第二氧化部以及阳极，N型半导体衬底设置于阴极上，N型半导体漂移层设置于N型半导体衬底远离阴极的一侧，第一氧化部位于N型半导体衬底中并延伸入部分N型半导体漂移层中，第一P型掺杂部设置于N型半导体漂移层中且与第一氧化部连接，第二P型掺杂部设置于N型半导体漂移层远离阴极的一侧，第二氧化部位于第二P型掺杂部中，并延伸入部分N型半导体漂移层中，阳极设置于第二P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过引入第一P型掺杂部，可以降低电磁干扰EMI噪声产生的风险。风险。风险。

【技术实现步骤摘要】
高压二极管


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种高压二极管。

技术介绍

[0002]高压二极管通常用在逆变器中，且是逆变器中不可或缺的部分，其起到电流换向后续流的重要作用，因此，高压二极管的反向恢复速度快慢直接影响到逆变器的最终效率。
[0003]现有的高压二极管通常是基于传统PiN结构获得，并采用重金属掺杂技术控制寿命，但是，该高压二极管在高频率下工作，容易出现较严重的电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)噪声。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种高压二极管，以降低EMI噪声产生的风险的问题。
[0005]本申请提供的一种高压二极管，包括：
[0006]阴极；
[0007]N型半导体衬底，设置于所述阴极上；
[0008]N型半导体漂移层，设置于所述N型半导体衬底远离所述阴极的一侧；
[0009]第一氧化部，位于所述N型半导体衬底中并延伸入部分所述N型半导体漂移层中；
[0010]第一P型掺杂部，设置于所述N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压二极管，其特征在于，包括：阴极；N型半导体衬底，设置于所述阴极上；N型半导体漂移层，设置于所述N型半导体衬底远离所述阴极的一侧；第一氧化部，位于所述N型半导体衬底中并延伸入部分所述N型半导体漂移层中；第一P型掺杂部，设置于所述N型半导体漂移层中且与所述第一氧化部连接；第二P型掺杂部，设置于所述N型半导体漂移层远离所述阴极的一侧；第二氧化部，位于所述第二P型掺杂部中，并延伸入部分所述N型半导体漂移层中；以及阳极，设置于所述第二P型掺杂部远离所述阴极的一侧。2.根据权利要求1所述的高压二极管，其特征在于，所述阳极的厚度小于所述第二P型掺杂部的厚度，所述第一P型掺杂部位于所述第一氧化部远离所述阴极的一侧。3.根据权利要求2所述的高压二极管，其特征在于，自一所述第二氧化部到另一所述第二氧化部的方向上，所述第一P型掺杂部的宽度小于所述第一氧化部的宽度，所述第一P型掺杂部为轻掺杂部。4.根据权利要求3所述的高压二极管，其特征在于，所述第一P型掺杂部的掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，伍济，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：