肖特基二极管及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种肖特基二极管及其形成方法。该肖特基二极管包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面，该第一表面具有第一区域；多个第一绝缘介质结构，多个绝缘介质结构间隔设置且覆盖部分第一区域；第一导电层，该第一导电层覆盖裸露的第一区域；第二导电层，部分第二导电层设置于多个第一绝缘介质结构远离半导体衬底的一侧，第二导电层与第一导电层接触。采用上述肖特基二极管，使得在第二导电层上施加电压时，能够在与第一绝缘介质结构对应的半导体衬底中形成反型耗尽层，从而降低晶体管的表面电场，提高二极管的耐压能力。提高二极管的耐压能力。提高二极管的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种肖特基二极管及其形成方法。

技术介绍

[0002]肖特基整流管是贵金属金、银、铝、铂等为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属
‑
半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的N型半导体中向浓度低的贵金属中扩散。显然，金属中没有空穴，也就不存在空穴自贵金属向N型半导体的扩散运动。随着电子不断从N型半导体扩散至贵金属，N型半导体表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为N型半导体
→
贵金属。
[0003]然而普通的肖特基二极管，反向漏电电流大，正向击穿电压大，内部温度容易升高，导致反向漏电流急剧加大，经常出现热失控的情况，使得肖特基二极管容易击穿。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种肖特基二极管及其形成方法，以解决现有技术中肖特基二极管容易击穿的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，所述第一表面具有第一区域；多个第一绝缘介质结构，多个所述第一绝缘介质结构间隔设置且覆盖部分所述第一区域；第一导电层，所述第一导电层覆盖裸露的所述第一区域；第二导电层，部分所述第二导电层设置于多个所述第一绝缘介质结构远离所述半导体衬底的一侧，所述第二导电层与所述第一导电层接触。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二导电层覆盖多个所述第一绝缘介质结构和所述第一导电层。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管还包括位于靠近所述第一表面一侧的半导体衬底中的多个浅沟槽隔离结构，所述肖特基二极管还包括第二绝缘介质结构，多个所述第一绝缘介质结构位于相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间，靠近所述第一绝缘介质结构的所述浅沟槽隔离结构上设置有所述第二绝缘介质结构。4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，相邻所述第一绝缘介质结构之间的最小间距相等。5.根据权利要求1至4中任一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一区域包括第一子区域和第二子区域，在多个所述第一绝缘介质结构间隔设置的方向上，所述第二子区域位于所述第一子区域的两侧，部分多个所述第一绝缘介质结构覆盖所述第一子区域，部分多个所述第一绝缘介质结构覆盖所述第二子区域，位于所述第一子区域上的相邻两个所述第一绝缘介质结构之间具有第一间距，位于所述第二子区域上的相邻两个所述第一绝缘介质结构之间具有第二间距，所述第一间距大于所述第二间距。6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，在所述第一子区域指向所述第二子区域的方向上，相邻所述第一绝缘介质结构之间的间距递减。7.一种肖特基二极管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，所述第一表面具有第一区域；在所述第一区域上形成多...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡少年，张德培，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：