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本发明提供了一种肖特基二极管及其形成方法。该肖特基二极管包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面，该第一表面具有第一区域；多个第一绝缘介质结构，多个绝缘介质结构间隔设置且覆盖部分第一区域；第一导电层，该第一导电层覆盖裸露的第一区域；第二导...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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