【技术实现步骤摘要】
基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件
[0001]本公开涉及半导体设备
,特别是涉及一种基板抛光装置、抛光头以及基板定位保护组件。
技术介绍
[0002]基板(例如晶圆)制造中,随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小,光刻(Lithography)技术对基板表面的平坦程度(Non
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uniformity)的要求越来越高。化学机械研磨(CMP,Chemical Mechanical Polishing)亦称为化学机械抛光,其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术,是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。
[0003]随着基板的最小特征尺寸的减小,聚焦的深度也急剧减少。微小的表面形貌或台阶高度都可能导致产量损失,所以需要CMP工艺以应对半导体工业所面临的挑战。在对基板进行抛光的过程中,基板放置在研磨垫上,由抛光头的定位保护组件(Retainer Ring)对基板进行限位,防止基板出现滑片,并对基板施加一定压力,以及使得基板与研磨垫两者相互转动,同步将浆料(slurry)添 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板定位保护组件,其特征在于,所述基板定位保护组件包括:定位挡圈,所述定位挡圈设有用于与基板的形状相适应的定位孔;以及清洁件,所述清洁件与所述定位挡圈相连,并绕所述定位挡圈的周向设置,所述清洁件设有用于与研磨垫抵触配合的清洁部,所述清洁部设有至少一个金刚石。2.根据权利要求1所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述金刚石嵌入固定于所述清洁部;和/或,所述清洁部采用化学气相沉积的方式与所述金刚石相互结合在一起。3.根据权利要求1所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述金刚石为多个,多个所述金刚石沿所述清洁件的周向方向间隔地布置于所述清洁部上。4.根据权利要求1所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述定位挡圈设有用于与所述研磨垫相互接触的抵接部,所述抵接部上设有至少一个沟槽,所述沟槽由所述抵接部的内缘延伸至所述抵接部的外缘。5.根据权利要求4所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述金刚石与其相邻的所述沟槽错开布置。6.根据权利要求5所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述清洁件为环形板,所述金刚石的数量为多个且分成多个小组,多个所述小组沿所述清洁件的周向方向间隔地布置于所述清洁部上,每个所述小组与其相邻的所述沟槽错开布置,每个小组的所述金刚石由所述清洁件的内缘至所述清洁件的外缘依次布置,且每个小组的所述金刚石的排布方向与所述清洁件的径向方向一致或呈夹角设置。7.根据权利要求5或6所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述沟槽为多个,多个所述沟槽依次间隔地布置于所述抵接部上;每个所述金刚石或每个小组与相邻两个所述沟槽的中间位置相对应设置。8.根据权利要求4所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述沟槽为多个,多个所述沟槽依次等间隔地布置于所述抵接部上。9.根据权利要求4所述的基板定位保护组件,其特征在于,所述沟槽的数量为8个至16个。10.根据权利要求8或9所述的基板定位保护...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈继伟,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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