【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0150932的优先权,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用整体地并入本文。
[0003]本文描述的本公开的实施例涉及半导体存储器,并且更具体地,涉及存储装置和/或其操作方法。
技术介绍
[0004]半导体存储装置被分类为诸如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)的易失性存储装置或者诸如闪速存储装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)的非易失性存储装置,在易失性存储装置中当电源被关断时存储的数据消失,而在非易失性存储装置中即使当电源被关断时存储的数据也被保持。
[0005]闪速存储装置正被广泛地用作用户系统的高容量存储介质。如今,随着闪速存储装置的集成度提高,与一个存储块连接的字线的数目可以增加。可能需要各种电压来驱动多条字线 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置,所述存储装置包括:存储块,所述存储块与多条字线连接;电压发生电路,所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压;以及地址译码电路,所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接,其中,在所述多条字线的字线设置时段期间,所述多条驱动线包括与所述未选字线当中的第一未选字线相对应的第一驱动线和与所述未选字线当中的第二未选字线相对应的第二驱动线,所述电压发生电路还被配置为当所述第一未选字线达到第一目标电平时使所述第一驱动线浮置,所述电压发生电路还被配置为当所述第二未选字线达到第二目标电平时使所述第二驱动线浮置,并且所述第二目标电平与所述第一目标电平不同。2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述电压发生电路包括第一非选择电压发生器和开关电路,所述第一非选择电压发生器被配置为输出所述第一非选择电压,并且所述开关电路被配置为:将所述第一驱动线和所述第二驱动线与所述第一非选择电压发生器的输出连接,从而当所述第一未选字线达到所述第一目标电平时使所述第一驱动线浮置,以及当所述第二未选字线达到所述第二目标电平时使所述第二驱动线浮置。3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述第一非选择电压发生器还被配置为当所述第一驱动线和所述第二驱动线都被浮置时被禁用。4.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述电压发生电路还包括被配置为输出第一选择读取电压的选择读取电压发生器,所述开关电路还被配置为向所述多条驱动线中的第三条驱动线提供所述第一选择读取电压,并且所述第三驱动线对应于所述多条字线当中的选定字线。5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述电压发生电路还包括被配置为输出第二非选择电压的第二非选择电压发生器,所述多条驱动线还包括与所述未选字线当中的相邻未选字线相对应的第四驱动线,所述相邻未选字线与所述选定字线相邻,所述开关电路还被配置为:将所述第四驱动线与所述第二非选择电压发生器连接,使得所述第四驱动线被提供有所述第二非选择电压发生器的输出并且在所述相邻未选字线达到第三目标电平时被浮置。6.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述第三目标电平高于所述第一目标电平和所述第二目标电平中的每一者。7.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述选择读取电压发生器还被配置为在所述字线设置时段之后的感测操作期间将所
述第一选择读取电压增加到第二选择读取电压。8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,所述开关电路还被配置为:在所述选择读取电压发生器的输出从所述第一选择读取电压增加到所述第二选择读取电压的时候,将所述第四驱动线与所述第二非选择电压发生器的输出连接。9.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述开关电路还被配置为:当所述选择读取电压发生器的输出增加到所述第二选择读取电压时,使所述第四驱动线浮置。10.根据权利要求5所述的存储装置,所述存储装置还包括:控制逻辑电路,其中,所述控制逻辑电路被配置为当所述第一非选择电压发生器的输出达到所述第一目标电平时将第一开关信号从接通状态改变为断开状态,所述控制逻辑电路还被配置为当所述第一非选择电压发生器的输出达到所述第二目标电平时将第二开关信号从接通状态改变为断开状态,并且所述控制逻辑电路还被配置为当所述第一非选择电压发生器的输出达到所述第三目标电平时将第三开关信号从接通状态改变为断开状态,其中,所述开关电路进一步被配置为:响应于所述第一开关信号,将所述第一驱动线与所述第一非选择电压发生器的输出连接或者使所述第一驱动线浮置,所述开关电路进一步被配置为:响应于所述第二开关信号,将所述第二驱动线与所述第一非选择电压发生器的输出连接或者使所述第二驱动线浮置,并且所述开关电路进一步被配置为:响应于所述第三开关信号,将所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:南尚完,金炯坤,郑凤吉,洪允镐,黄柱盛,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。